Материалы для: материалы, оборудование и технологии для рекламного производства

Фейнман Р. П. Моделирование физики с помощью компьютеров. Внутр. J. Theor. Phys. 21 , 467–488 (1982).

Артикул Google Scholar

Шор П. В. Полиномиальные алгоритмы разложения на простые множители и дискретных логарифмов на квантовом компьютере. SIAM J. Comput. 26 , 1484–1509 (1997).

Артикул Google Scholar

Ди Винченцо, Д. П. Физическая реализация квантовых вычислений. Fortschr. Phys. 48 , 771–783 (2000).

Артикул Google Scholar

Vandersypen, L. M. K. et al. Экспериментальная реализация алгоритма квантового разложения Шора с использованием ядерного магнитного резонанса. Nature 414 , 883–887 (2001).

CAS Статья Google Scholar

Monz, T. et al. Реализация масштабируемого алгоритма Шора. Наука 351 , 1068–1070 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Новоселов К.С. и др. Двумерный газ безмассовых дираковских фермионов в графене. Природа 438 , 197 (2005).

CAS Статья Google Scholar

Наяк, К., Саймон, С. Х., Стерн, А., Фридман, М., Дас Сарма, С. Неабелевы энионы и топологические квантовые вычисления. Ред. Мод. Phys. 80 , 1083–1159 (2008).

CAS Статья Google Scholar

Цянь, X., Лю, Дж., Фу, Л. и Ли, Дж. Квантовый спиновый эффект Холла в двумерных дихалькогенидах переходных металлов. Наука 346 , 1344–1347 (2014).

CAS Статья Google Scholar

Лю, X. и Херсам, М. С. Определение характеристик интерфейса и контроль 2D-материалов и гетероструктур. Adv. Матер. 30 , 1801586 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Хэнсон, Р., Кувенховен, Л. П., Петта, Дж. Р., Таруча, С. и Вандерсипен, Л. М. К. Спины в малоэлектронных квантовых точках. Ред. Мод. Phys. 79 , 1217–1265 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Лосс, Д. и Ди Винченцо, Д. П. Квантовые вычисления с квантовыми точками. Phys. Ред. A 57 , 120–126 (1998).

CAS Статья Google Scholar

Новак К. К., Коппенс Ф. Х. Л., Назаров Ю. В. и Вандерсипен Л. М. Когерентное управление спином одного электрона электрическими полями. Наука 318 , 1430–1433 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Рашба, Э. И. и Эфрос, Ал. L. Орбитальные механизмы манипулирования электронным спином электрическим полем. Phys. Rev. Lett. 91 , 126405 (2003).

CAS Статья Google Scholar

Pioro-Ladrière, M. et al. Одноэлектронный спиновой резонанс с электрическим приводом в наклонном зеемановском поле. Nat. Phys. 4 , 776–779 (2008).

Артикул CAS Google Scholar

Koppens, F. H. L. et al. Управляемые когерентные колебания спина одиночного электрона в квантовой точке. Природа 442 , 766–771 (2006).

CAS Статья Google Scholar

Клоффель, К. и Лосс, Д. Перспективы спиновых квантовых вычислений в квантовых точках. Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 4 , 51–81 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Medford, J. et al. Резонансный обменный кубит на основе квантовых точек. Phys. Rev. Lett. 111 , 050501 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Landig, A. J. et al. Когерентное спин-фотонное взаимодействие с использованием резонансного обменного кубита. Природа 560 , 179–184 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Горман Дж., Хаско Д. Г. и Уильямс Д. А. Заряд-кубитная операция изолированной двойной квантовой точки. Phys. Rev. Lett. 95 , 0

CAS Статья Google Scholar

Хаяси, Т., Фудзисава, Т., Чеонг, Х. Д., Чон, Ю. Х. и Хираяма, Ю. Когерентное манипулирование электронными состояниями в двойной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 91 , 226804 (2003).

CAS Статья Google Scholar

Надж-Перге, С., Фролов, С. М., Баккерс, Э. П. А. М., Кувенховен, Л. П. Спин-орбитальный кубит в полупроводниковой нанопроволоке. Природа 468 , 1084–1087 (2010).

CAS Статья Google Scholar

Stockklauser, A. et al. Резонатор с сильной связью QED с двойными квантовыми точками, определяемыми затвором, благодаря высокоомному резонатору. Phys. Ред. X 7 , 011030 (2017).

Google Scholar

Mi, X., Cady, J. V., Zajac, D. M., Deelman, P. W. & Petta, J. R. Сильная связь одиночного электрона в кремнии с микроволновым фотоном. Наука 355 , 156–158 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Самхарадзе Н. и др. Сильная спин-фотонная связь в кремнии. Наука 359 , 1123–1127 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Де Соуза, Р. и Сарма, С. Д. Когерентность электронного спина в полупроводниках: соображения для архитектуры твердотельного квантового компьютера на основе спина. Phys. Ред. B 67 , 033301 (2003).

Артикул CAS Google Scholar

Фукс М., Рычков В. и Траузеттель Б. Спиновая декогеренция в графеновых квантовых точках из-за сверхтонкого взаимодействия. Phys. Ред. B 86 , 085301 (2012).

Артикул CAS Google Scholar

Уэртас-Эрнандо, Д., Гвинея, Ф. и Братаас, А. Спин-орбитальная связь в изогнутом графене, фуллеренах, нанотрубках и крышках нанотрубок. Phys. Ред. B 74 , 155426 (2006).

Артикул CAS Google Scholar

Гюттингер Дж., Фрей Т., Штампфер К., Ин Т. и Энслин К. Спиновые состояния в графеновых квантовых точках. Phys. Rev. Lett. 105 , 116801 (2010).

Артикул CAS Google Scholar

Hanson, R. et al. Зеемановская энергия и спиновая релаксация в одноэлектронной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 91 , 196802 (2003).

CAS Статья Google Scholar

Eich, M. et al. Спиновые и долинные состояния в квантовых точках двухслойного графена, заданных вентилем. Phys. Ред. X 8 , 031023 (2018).

CAS Google Scholar

Чо, С.-Х., Ким, Б.-Х. И Парк, С.-Дж. Эффект кулоновской блокады при комнатной температуре в кремниевых квантовых точках в пленках нитрида кремния. заявл. Phys. Lett. 89 , 013116 (2006).

Артикул CAS Google Scholar

Shin, S.J. et al. Стабильность заряда при комнатной температуре, модулированная квантовыми эффектами в наноразмерном островке кремния. Nano Lett. 11 , 1591–1597 (2011).

CAS Статья Google Scholar

Пономаренко Л.А. и др. Хаотический бильярд Дирака в графеновых квантовых точках. Наука 320 , 356–358 (2008).

CAS Статья Google Scholar

Wurm, J. et al. Классы симметрии в графеновых квантовых точках: универсальная спектральная статистика, слабая локализация и флуктуации проводимости. Phys. Rev. Lett. 102 , 056806 (2009).

Артикул CAS Google Scholar

Stampfer, C. et al. Энергетические щели в вытравленных графеновых нанолентах. Phys. Rev. Lett. 102 , 056403 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Stampfer, C. et al. Перестраиваемый графеновый одноэлектронный транзистор. Nano Lett. 8 , 2378–2383 (2008).

CAS Статья Google Scholar

Güttinger, J. et al. Электронно-дырочный кроссовер в графеновых квантовых точках. Phys. Rev. Lett. 103 , 046810 (2009).

Артикул CAS Google Scholar

Volk, C. et al. Исследование времен релаксации в графеновых квантовых точках. Nat. Commun. 4 , 1753 (2013).

Артикул CAS Google Scholar

Schnez, S. et al. Наблюдение возбужденных состояний в графеновой квантовой точке. заявл. Phys. Lett. 94 , 012107 (2009).

Артикул CAS Google Scholar

Лю, X. Л., Хуг, Д. и Вандерсипен, Л. М. К. Гейт-определенные двойные квантовые точки графена и спектроскопия возбужденного состояния. Nano Lett. 10 , 1623–1627 (2010).

CAS Статья Google Scholar

Fujisawa, T., Tokura, Y. & Hirayama, Y. Процесс релаксации энергии в квантовой точке изучается с помощью измерений постоянного и импульсного тока. Phys. B Конденс. Matter 298 , 573–579 (2001).

CAS Статья Google Scholar

Engels, S. et al. Травленные квантовые точки графена на гексагональном нитриде бора. заявл. Phys. Lett. 103 , 073113 (2013).

Артикул CAS Google Scholar

Xue, J. et al. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия ультраплоского графена на гексагональном нитриде бора. Nat. Матер. 10 , 282–285 (2011).

CAS Статья Google Scholar

Кацнельсон, М. И., Новоселов, К. С., Гейм, А. К. Хиральное туннелирование и парадокс Клейна в графене. Nat. Phys. 2 , 620–625 (2006).

CAS Статья Google Scholar

Матулис А. и Петерс Ф. М. Квазисвязанные состояния квантовых точек в однослойном и двухслойном графене. Phys. Ред. B 77 , 115423 (2008).

Артикул CAS Google Scholar

Бардарсон, Дж. Х., Титов, М. и Брауэр, П. У. Электростатическое удержание электронов в интегрируемой графеновой квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 102 , 226803 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Охта Т., Боствик А., Сейллер Т., Хорн К. и Ротенберг Э. Управление электронной структурой двухслойного графена. Наука 313 , 951–954 (2006).

CAS Статья Google Scholar

Оостинга, Дж. Б., Хеерш, Х. Б., Лю, X., Морпурго, А. Ф. и Вандерсипен, Л. М. К. Изоляционное состояние, индуцированное затвором в устройствах с двухслойным графеном. Nat. Матер. 7 , 151–157 (2008).

CAS Статья Google Scholar

Zhang, Y. et al. Прямое наблюдение широко настраиваемой запрещенной зоны в двухслойном графене. Природа 459 , 820–823 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Alden, J. S. et al. Деформационные солитоны и топологические дефекты в двухслойном графене. Proc. Natl. Акад. Sci. США 110 , 11256–11260 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Ju, L. et al. Топологический перенос долин на доменных стенках двухслойного графена. Природа 520 , 650–655 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Eich, M. et al. Связанные квантовые точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 5042–5048 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Goossens, A. et al. Затворное удержание в гибридных устройствах двухслойный графен-гексагональный нитрид бора. Nano Lett. 12 , 4656–4660 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Kurzmann, A. et al. Возбужденные состояния в квантовых точках двухслойного графена. arXiv: 1904.07185 [cond-mat.mes-hall] (2019).

Климов Н.Н. и др. Электромеханические свойства графеновых пластин. Наука 336 , 1557–1561 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Freitag, N. M. et al. Расщепление больших перестраиваемых долин в бескрайних квантовых точках графена на нитриде бора. Nat. Nanotechnol. 13 , 392–397 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Eng, K. et al. Кубит с тройными квантовыми точками, усиленный изотопами. Sci. Adv. 1 , e1500214 (2015).

Артикул Google Scholar

Connolly, M. R. et al. Накачка гигагерцового квантованного заряда в графеновых квантовых точках. Nat.Nanotechnol. 8 , 417–420 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Volk, C. et al. Электронные возбужденные состояния в двойных квантовых точках двухслойного графена. Nano Lett. 11 , 3581–3586 (2011).

CAS Статья Google Scholar

Chiu, K. L. et al. Перераспределение заряда в неупорядоченных двойных квантовых точках графена под действием магнитного поля. Phys. Ред. B 92 , 155408 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

Ролинг Н. и Буркард Г. Универсальные квантовые вычисления со спиновыми и долинными состояниями. New J. Phys. 14 , 083008 (2012).

Артикул Google Scholar

Речер П., Нильссон Дж., Буркард Г. и Траузеттель Б. Связанные состояния и индуцированное магнитным полем расщепление долин в настраиваемых затвором графеновых квантовых точках. Phys. Ред. B 79 , 085407 (2009).

Артикул CAS Google Scholar

Перейра, Дж. М., Петерс, Ф. М., Василопулос, П., Коста Филью, Р. Н. и Фариас, Г. А. Уровни Ландау в двухслойных квантовых точках графена. Phys. Ред. B 79 , 195403 (2009).

Артикул CAS Google Scholar

Траузеттель, Б., Булаев, Д. В., Лосс, Д., Буркард, Г. Спиновые кубиты в графеновых квантовых точках. Nat. Phys. 3 , 192–196 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Фалько В. Квантовая информация о сетке. Nat. Phys. 3 , 151–152 (2007).

Артикул Google Scholar

Goldhaber-Gordon, D. et al.Эффект Кондо в одноэлектронном транзисторе. Nature 391 , 156–159 (1998).

CAS Статья Google Scholar

Вайнманн Д., Хойслер В. и Крамер Б. Спиновые блокады при линейном и нелинейном переносе через квантовые точки. Phys. Rev. Lett. 74 , 984–987 (1995).

CAS Статья Google Scholar

Сольс, Ф., Гвинея, Ф. и Нето, А. Х. С. Кулоновская блокада в графеновых нанолентах. Phys. Rev. Lett. 99 , 166803 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Deng, G.-W. и другие. Зависимость от зарядового числа скоростей дефазировки двойной графеновой квантовой точки в схемной архитектуре КЭД. Phys. Rev. Lett. 115 , 126804 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

Deng, G.-W. и другие. Связь двух далеких двойных квантовых точек с микроволновым резонатором. Nano Lett. 15 , 6620–6625 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Hamer, M. et al. Затворно-определяемое квантовое ограничение в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе InSe. Nano Lett. 18 , 3950–3955 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Liu, X. et al. Соизмеримый с вращением рост MoS ₂ на эпитаксиальном графене. АСУ Нано 10 , 1067–1075 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Манзели С., Овчинников Д., Паскье Д., Язев О. В. и Кис А. Двумерные дихалькогениды переходных металлов. Nat. Rev. Mater. 2 , 17033 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Schaibley, J. R. et al. Valleytronics в 2D материалах. Nat. Rev. Mater. 1 , 16055 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Мак К. Ф. и Шан Дж. Фотоника и оптоэлектроника двумерных полупроводниковых дихалькогенидов переходных металлов. Nat. Фотоника 10 , 216–226 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Тода, Ю., Мориваки, О., Нисиока, М., Аракава, Ю. Эффективный механизм релаксации носителей заряда в самоорганизующихся квантовых точках InGaAs / GaAs, основанный на существовании состояний континуума. Phys. Rev. Lett. 82 , 4114–4117 (1999).

CAS Статья Google Scholar

Elzerman, J. M. et al. Схема малоэлектронных квантовых точек со встроенным считываемым зарядом. Phys. Ред. B 67 , 161308 (2003).

Артикул CAS Google Scholar

Björk, M. T. et al. Малоэлектронные квантовые точки в нанопроволоках. Nano Lett. 4 , 1621–1625 (2004).

Артикул CAS Google Scholar

Корманьос, А., Золёми, В., Драммонд, Н. Д. и Буркард, Г. Спин-орбитальная связь, квантовые точки и кубиты в однослойных дихалькогенидах переходных металлов. Phys. Ред. X 4 , 011034 (2014).

Google Scholar

Pawłowski, J., Zebrowski, D. & Bednarek, S. Кубит долины в закрытой монослойной квантовой точке MoS ₂ . Phys. Ред. B 97 , 155412 (2018).

Артикул Google Scholar

Széchenyi, G., Chirolli, L. & Pályi, A. Электрический контроль кубитов спиновой долины в монослое MoS с помощью примесей. ₂ . 2D Mater. 5 , 035004 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Ли К., Кулкарни Г. и Чжун З. Кулоновская блокада в монослойном одноэлектронном транзисторе MoS ₂ . Nanoscale 8 , 7755–7760 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Сонг, X.-X. и другие. Температурная зависимость кулоновских колебаний в многослойной двумерной квантовой точке WS ₂ . Sci. Отчет 5 , 16113 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

Сонг, X.-X. и другие. Квантовая точка, определяемая затвором, на двумерном полупроводнике из дихалькогенида переходного металла WSe ₂ . Наноразмер 7 , 16867–16873 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Pisoni, R. et al.Квантовая точка с перестраиваемым затвором в высококачественной однослойной гетероструктуре MoS ₂ Ван-дер-Ваальса. заявл. Phys. Lett. 112 , 123101 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Wang, K. et al. Электрический контроль носителей заряда и экситонов в атомарно тонких материалах. Nat. Nanotechnol. 13 , 128–132 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Кейн, Б. Э. Основанный на кремнии квантовый компьютер с ядерным спином. Nature 393 , 133–137 (1998).

CAS Статья Google Scholar

Pla, J. J. et al. Одноатомный электронный кубит со спином в кремнии. Природа 489 , 541–545 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Hill, C. D. et al. Квантовый компьютер с поверхностным кодом в кремнии. Sci. Adv. 1 , e1500707 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

Абадилло-Уриэль, Дж. К., Койллер, Б. и Кальдерон, М. Дж. Двумерные полупроводники открывают путь к квантовым вычислениям на основе примесей. Beilstein J. Nanotechnol. 9 , 2668–2673 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Экзархос, А. Л., Хоппер, Д. А., Патель, Р. Н., Доэрти, М. В. и Бассет, Л. С. Квантовая эмиссия, зависящая от магнитного поля, в гексагональном нитриде бора при комнатной температуре. Nat. Commun. 10 , 222 (2019).

Артикул CAS Google Scholar

Grosso, G. et al. Настраиваемая и высокочистая однофотонная эмиссия атомных дефектов в гексагональном нитриде бора при комнатной температуре. Nat. Commun. 8 , 705 (2017).

Артикул CAS Google Scholar

Тран Т. Т., Брей К., Форд М. Дж., Тот М. и Ахаронович И. Квантовая эмиссия монослоев гексагонального нитрида бора. Nat. Nanotechnol. 11 , 37–41 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Moody, G. et al. Микросекундное время жизни долин дефектно-связанных экситонов в монослое WSe ₂ . Phys. Rev. Lett. 121 , 057403 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Чакраборти, К., Кинништцке, Л., Гудфеллоу, К. М., Бимс, Р. и Вамивакас, А. Н. Квантовый свет с управляемым напряжением из атомарно тонкого полупроводника. Nat. Nanotechnol. 10 , 507–511 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Kok, P. et al. Линейные оптические квантовые вычисления с фотонными кубитами. Ред. Мод. Phys. 79 , 135–174 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Добровицкий В. В., Фукс Г. Д., Фальк А. Л., Сантори С. и Авшалом Д. Д. Квантовое управление одиночными спинами в алмазе. Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 4 , 23–50 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Maurer, P. C. et al. Квантово-битовая память при комнатной температуре, превышающая одну секунду. Наука 336 , 1283–1286 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Neumann, P. et al. Высокоточное измерение температуры в наномасштабе с использованием единичных дефектов в алмазе. Nano Lett. 13 , 2738–2742 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Гупта, С., Ян, Ж.-Х. & Якобсон, Б. И. Двухуровневые квантовые системы в двумерных материалах для излучения одиночных фотонов. Nano Lett. 19 , 408–414 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Тот, М., Ааронович, И. Источники одиночных фотонов в атомарно тонких материалах. Annu. Rev. Phys. Chem. 70 , 123–142 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Cassabois, G., Valvin, P. & Gil, B. Гексагональный нитрид бора является полупроводником с непрямой запрещенной зоной. Nat. Фотоника 10 , 262–266 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Чжао, Х.-К., Фудзивара, М. и Такеучи, С. Подавление боковой полосы флуоресценции фононов от центров вакансий азота в алмазных нанокристаллах за счет эффекта подложки. Опт. Экспресс 20 , 15628–15635 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Li, X. et al. Немагнитные квантовые излучатели в нитриде бора со сверхузкими спектрами излучения без боковых полос. АСУ Нано 11 , 6652–6660 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Лунис Б. и Оррит М. Однофотонные источники. Rep. Prog. Phys. 68 , 1129–1179 (2005).

CAS Статья Google Scholar

Jungwirth, N. R. et al. Температурная зависимость выбираемой длины волны бесфононного излучения одиночных дефектов в гексагональном нитриде бора. Nano Lett. 16 , 6052–6057 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Хакстер В. М., Оливер Т. А. А., Будкер Д. и Флеминг Г.Р. Колебательная и электронная динамика центров азот – вакансия в алмазе, обнаруженная методом двумерной сверхбыстрой спектроскопии. Nat. Phys. 9 , 744–749 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Tawfik, S.A. et al. Первопринципное исследование квантового излучения дефектов hBN. Наноразмер 9 , 13575–13582 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Но, Г. и др. Штарковская настройка однофотонных эмиттеров в гексагональном нитриде бора. Nano Lett. 18 , 4710–4715 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Tran, T. T. et al. Устойчивое многоцветное однофотонное излучение точечных дефектов в гексагональном нитриде бора. АСУ Нано 10 , 7331–7338 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Ziegler, J. et al. Формирование детерминированного квантового эмиттера в гексагональном нитриде бора посредством контролируемого создания края. Nano Lett. 19 , 2121–2127 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Mendelson, N. et al. Разработка и настройка квантовых излучателей в многослойном гексагональном нитриде бора. ACS Nano 13 , 3132–3140 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Дай З., Лю Л. и Чжан З. Деформационная инженерия 2D-материалов: проблемы и возможности на стыке. Adv. Матер. 0 , 1805417 (2019).

Артикул CAS Google Scholar

Ziegler, J. et al. Однофотонные излучатели в наноконнах нитрида бора. Nano Lett. 18 , 2683–2688 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Srivastava, A. et al. Оптически активные квантовые точки в монослое WSe ₂ . Nat. Nanotechnol. 10 , 491–496 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Мак, К. Ф., Хе, К., Шан, Дж. И Хайнц, Т. Ф. Управление поляризацией долин в монослое MoS ₂ с помощью оптической спиральности. Nat. Nanotechnol. 7 , 494–498 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Он, Ю.-М. и другие. Одноквантовые эмиттеры в однослойных полупроводниках. Nat. Nanotechnol. 10 , 497–502 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Koperski, M. et al. Излучатели одиночных фотонов в расслоенных структурах WSe ₂ . Nat. Нанотехнология 10 , 503–506 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Palacios-Berraquero, C. et al. Атомарно тонкие квантовые светодиоды. Nat. Commun. 7 , 12978 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Wang, G. et al. Динамика долины исследована по эмиссии заряженных и нейтральных экситонов в монослое WSe ₂ . Phys. Ред. B 90 , 075413 (2014).

Артикул CAS Google Scholar

Kumar, S. et al. Резонансная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в монослое WSe ₂ . Optica 3 , 882–886 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Branny, A. et al. Дискретные квантовые точки, подобные эмиттерам в монослое MoSe ₂ : пространственное отображение, магнитооптика и настройка заряда. заявл. Phys. Lett. 108 , 142101 (2016).

Артикул CAS Google Scholar

Лю X., Балла И., Бержерон Х. и Херсам М. С. Точечные дефекты и границы зерен в соизмеримом во вращении MoS ₂ на эпитаксиальном графене. J. Phys. Chem. С 120 , 20798–20805 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Peng, J.-P. и другие. Рост молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование ультратонких пленок TiSe ₂ с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Phys. Ред.В 91 , 121113 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

К.С., С., Лонго, Р.С., Адду, Р., Уоллес, Р. М. и Чо, К. Влияние собственных атомных дефектов на электронную структуру монослоев MoS ₂ . Nanotechnol. 25 , 375703 (2014).

Артикул CAS Google Scholar

Хильдебранд, Б.и другие. Легирующая природа собственных дефектов в 1T – TiSe ₂ . Phys. Rev. Lett. 112 , 197001 (2014).

CAS Статья Google Scholar

Hong, J. et al. Исследование атомных дефектов в монослоях дисульфида молибдена. Nat. Commun. 6 , 6293 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Но, Дж.-Y., Kim, H. & Kim, Y.-S. Устойчивость и электронная структура собственных дефектов в однослойном MoS ₂ . Phys. Ред. B 89 , 205417 (2014).

Артикул CAS Google Scholar

Clark, G. et al. Однодефектный светодиод в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре. Nano Lett. 16 , 3944–3948 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Li, H. et al. Оптоэлектронный кристалл искусственных атомов в деформированном дисульфиде молибдена. Nat. Commun. 6 , 7381 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Feng, J., Qian, X., Huang, C.-W. & Ли, Дж. Искусственный атом, созданный методом деформации, как воронка солнечной энергии широкого спектра действия. Nat. Фотоника 6 , 866–872 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Бранни, А., Кумар, С., Про, Р., Жерардо, Б. Д. Детерминированные массивы квантовых излучателей, индуцированные деформацией, в двумерном полупроводнике. Nat. Commun. 8 , 15053 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Palacios-Berraquero, C. et al. Крупномасштабные массивы квантовых эмиттеров в атомарно тонких полупроводниках. Nat. Commun. 8 , 15093 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Rosenberger, M. R. et al. Квантовая каллиграфия: создание однофотонных излучателей на платформе двумерных материалов. АСУ Нано 13 , 904–912 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Martinis, J. M. et al. Декогеренция в джозефсоновских кубитах из-за диэлектрических потерь. Phys. Rev. Lett. 95 , 210503 (2005).

Артикул CAS Google Scholar

Wang, L. et al. Одномерный электрический контакт с двухмерным материалом. Наука 342 , 614–617 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Kang, K. et al. Послойная сборка двумерных материалов в гетероструктуры в масштабе пластины. Природа 550 , 229–233 (2017).

Артикул CAS Google Scholar

Махлин Ю., Шен Г. и Шнирман А. Квантово-государственная инженерия с устройствами на джозефсоновских контактах. Ред. Мод. Phys. 73 , 357–400 (2001).

Артикул Google Scholar

Шерер, Х. и Камарота, Б. Эксперименты с квантовым метрологическим треугольником: обзор состояния. Измер. Sci. Technol. 23 , 124010 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Лихарев К.К. Сверхпроводящие слабые звенья. Ред. Мод. Phys. 51 , 101–159 (1979).

Артикул Google Scholar

Williams, J. R. et al. Нетрадиционный эффект Джозефсона в гибридных устройствах сверхпроводник-топологический изолятор. Phys. Rev. Lett. 109 , 056803 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Koch, J. et al. Нечувствительный к заряду дизайн кубита, полученный из коробки пар Купера. Phys. Ред. A 76 , 042319 (2007).

Артикул CAS Google Scholar

Larsen, T. W. et al. Сверхпроводящий кубит на основе полупроводников и нанопроволок. Phys. Rev. Lett. 115 , 127001 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Прокладка, Y.-P. И Тахан, С. Принципы проектирования сверхпроводниковых квантовых вычислений, вдохновленные полупроводниками. Nat. Commun. 7 , 11059 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Casparis, L. et al. Сверхпроводящий гейтмон-кубит на основе проксимитированного двумерного электронного газа. Nat. Nanotechnol. 13 , 915–919 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Бен Шалом, М. и др. Квантовые осцилляции критического тока и близость сильнополевой сверхпроводимости в баллистическом графене. Nat. Phys. 12 , 318–322 (2016).

Артикул CAS Google Scholar

Хеерш, Х. Б., Харилло-Эрреро, П., Остинга, Дж. Б., Вандерсипен, Л. М. К. и Морпурго, А. Ф. Биполярный сверхток в графене. Nature 446 , 56–59 (2007).

CAS Статья Google Scholar

Рикхаус П., Вайс М., Маро Л. и Шененбергер К. Квантовый эффект Холла в графене со сверхпроводящими электродами. Nano Lett. 12 , 1942–1945 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Chen, J.-H. и другие. Диффузионный перенос заряда в графене на SiO ₂ . Solid State Commun. 149 , 1080–1086 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Мизуно, Н., Нильсен, Б. и Ду, X. Сверхток баллистического типа в джозефсоновских слабых звеньях подвешенного графена. Nat. Commun. 4 , 2716 (2013).

Артикул CAS Google Scholar

Ли, Г.-Х., Ким, С., Джи, С.-ЧАС. И Ли, Х.-Дж. Абсолютно короткие баллистические вертикальные джозефсоновские контакты графена. Nat. Commun. 6 , 6181 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Айленд, Дж. О., Стил, Г. А., Зант, Х. С. Дж. Ван дер и Кастелланос-Гомес, А. Зависимый от толщины межслоевой перенос в вертикальных соединениях MoS ₂ Джозефсоновские переходы. 2D Mater. 3 , 031002 (2016).

Артикул CAS Google Scholar

Kim, M. et al. Сильная близость джозефсоновской связи в вертикально уложенных переходах NbSe ₂ –графен – NbSe ₂ Ван-дер-Ваальсов. Nano Lett. 17 , 6125–6130 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Фриндт Р. Ф. Сверхпроводимость в ультратонких слоях NbSe ₂ . Phys. Rev. Lett. 28 , 299–301 (1972).

CAS Статья Google Scholar

Ябуки Н. и др. Сверхток в переходе Ван-дер-Ваальса Джозефсона. Nat. Commun. 7 , 10616 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Liu, K. et al. Эволюция межслоевой связи в скрученных бислоях дисульфида молибдена. Nat. Commun. 5 , 4966 (2014).

CAS Статья Google Scholar

Харилло-Эрреро, П., Ван Дам, Дж. А., Кувенховен, Л. П. Квантовые сверхтоковые транзисторы в углеродных нанотрубках. Природа 439 , 953–956 (2006).

CAS Статья Google Scholar

Nanda, G. et al. Токово-фазовое соотношение баллистических джозефсоновских контактов графена. Nano Lett. 17 , 3396–3401 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Calado, V. E. et al. Баллистические джозефсоновские переходы в графене с реберным контактом. Nat. Nanotechnol. 10 , 761–764 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Wang, J. I.-J. и другие. Когерентное управление гибридной сверхпроводящей схемой на основе ван-дер-ваальсовых гетероструктур на основе графена. Nat. Nanotechnol. 14 , 120–125 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Ли, Г.-Х. и другие. Индуцирование сверхпроводящей корреляции в квантовых холловских краевых состояниях. Nat. Phys. 13 , 693–698 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Amet, F. et al. Сверхток в квантовом режиме Холла. Наука 352 , 966–969 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Прибяг, В.S. et al. Краевая сверхпроводимость в двумерном топологическом изоляторе. Nat. Nanotechnol. 10 , 593–597 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Шмидт, Ф. Э., Дженкинс, М. Д., Ватанабе, К., Танигучи, Т. и Стил, Г. А. Сверхпроводящая микроволновая схема с баллистическим графеном. Nat. Commun. 9 , 4069 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Kroll, J. G. et al. Схема, совместимая с магнитным полем, квантовая электродинамика с графеновыми джозефсоновскими контактами. Nat. Commun. 9 , 4615 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Walsh, E. D. et al. Детектор одиночных фотонов на джозефсоновском переходе на основе графена. Phys. Ред. Заявлено 8 , 024022 (2017).

Артикул Google Scholar

Вильчек Ф. Квантовая механика частиц с дробным спином. Phys. Rev. Lett. 49 , 957–959 (1982).

CAS Статья Google Scholar

Лейнаас Дж. М. и Мирхейм Дж. К теории идентичных частиц. Nuovo Cim. B 37 , 1–23 (1977).

Артикул Google Scholar

Стерн, А.Неабелевы состояния вещества. Природа 464 , 187–193 (2010).

CAS Статья Google Scholar

Китаев А.Ю. Отказоустойчивые квантовые вычисления с помощью анонимов. Ann. Phys. 303 , 2–30 (2003).

CAS Статья Google Scholar

Тео, Дж. К. Я. и Кейн, К. Л. Майорана Фермионы и неабелева статистика в трех измерениях. Phys. Rev. Lett. 104 , 046401 (2010).

Артикул CAS Google Scholar

Мур Г. и Рид Н. Неабелионы в дробном квантовом эффекте Холла. Nucl. Phys. B 360 , 362–396 (1991).

Артикул Google Scholar

Джейн, Дж. К. Композитно-фермионный подход для дробного квантового эффекта Холла. Phys. Rev. Lett. 63 , 199–202 (1989).

CAS Статья Google Scholar

Du, X., Skachko, I., Duerr, F., Luican, A. & Andrei, E. Y. Дробный квантовый эффект Холла и изолирующая фаза электронов Дирака в графене. Природа 462 , 192–195 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Болотин К. И., Гахари Ф., Шульман М. Д., Штормер Х. Л. и Ким П. Наблюдение дробного квантового эффекта Холла в графене. Природа 462 , 196–199 (2009).

CAS Статья Google Scholar

Фельдман Б. Э., Краусс Б., Смет Дж. Х. и Якоби А. Нетрадиционная последовательность дробных квантовых состояний Холла в взвешенном графене. Наука 337 , 1196–1199 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Wang, L. et al. Свидетельства фрактального квантового эффекта Холла в сверхрешетках графена. Наука 350 , 1231–1234 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Kim, Y. et al. Четный знаменатель дробных квантовых холловских состояний на высших уровнях Ландау графена. Nat.Phys. 15 , 154–158 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Зибров А.А. и др. Четные дробные квантовые холловские состояния на изоспиновом переходе в монослойном графене. Nat. Phys. 14 , 930–935 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Зибров А.А. и др. Перестраиваемые взаимодействующие составные фермионные фазы на полузаполненном уровне Ландау двухслойного графена. Природа 549 , 360–364 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Sanchez-Yamagishi, J. D. et al. Спиральные краевые состояния и дробный квантовый эффект Холла в электронно-дырочном бислое графена. Nat. Nanotechnol. 12 , 118–122 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Li, J. I. A. et al.Дробные квантовые холловские состояния с четным знаменателем в двухслойном графене. Наука 358 , 648–652 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Линь, X., Ду, Р. и Се, X. Недавний экспериментальный прогресс дробного квантового эффекта Холла: состояние заполнения 5/2 и графен. Nat. Sci. Ред. 1 , 564–579 (2014).

CAS Статья Google Scholar

Das Sarma, S., Nayak, C. & Tewari, S. Предложение по стабилизации и обнаружению полуквантовых вихрей в тонких пленках рутената стронция: неабелева статистика вихрей в сверхпроводнике p _x + ip _y . Phys. Ред. B 73 , 220502 (2006).

Артикул CAS Google Scholar

Фу Л. и Кейн К. Л. Эффект сверхпроводящей близости и майорановские фермионы на поверхности топологического изолятора. Phys. Rev. Lett. 100 , 096407 (2008).

Артикул CAS Google Scholar

Wang, M.-X. и другие. Сосуществование сверхпроводимости и топологического порядка в тонких пленках Bi ₂ Se ₃ . Наука 336 , 52–55 (2012).

CAS Статья Google Scholar

Xu, J.-P.и другие. Экспериментальное обнаружение майорановской моды в ядре магнитного вихря внутри топологического диэлектрика-сверхпроводника Bi ₂ Te ₃ / NbSe ₂ гетероструктуры. Phys. Rev. Lett. 114 , 017001 (2015).

Артикул CAS Google Scholar

Sun, H.-H. и другие. Обнаружена майорановская нулевая мода при спин-селективном андреевском отражении в вихре топологического сверхпроводника. Phys. Rev. Lett. 116 , 257003 (2016).

Артикул CAS Google Scholar

Xu, J.-P. и другие. Искусственный топологический сверхпроводник за счет эффекта близости. Phys. Rev. Lett. 112 , 217001 (2014).

Артикул CAS Google Scholar

Лутчин Р. М., Сау, Дж. Д. и Дас Сарма, С. Майорана Фермионы и топологический фазовый переход в гетероструктурах полупроводник-сверхпроводник. Phys. Rev. Lett. 105 , 077001 (2010).

Артикул CAS Google Scholar

Чиу Ч.-К., Гилберт М. Дж. И Хьюз Т. Л. Вихревые линии в топологических гетероструктурах изолятор-сверхпроводник. Phys. Ред. B 84 , 144507 (2011).

Артикул CAS Google Scholar

He, J. J., Ng, T.К., Ли, П. А. и Ло, К. Т. Селективные равновинтовые андреевские отражения, индуцированные майорановскими фермионами. Phys. Rev. Lett. 112 , 037001 (2014).

Артикул CAS Google Scholar

Banerjee, A., Sundaresh, A., Ganesan, R. & Kumar, PSA Сигнатуры топологической сверхпроводимости в топологическом изоляторе BiSbTe _1,25 Se _1,75 вблизи сверхпроводящего NbSe ₂ . ACS Nano 12 , 12665–12672 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Sun, H.-H. и другие. Сосуществование топологического краевого состояния и сверхпроводимости в ультратонкой пленке висмута. Nano Lett. 17 , 3035–3039 (2017).

CAS Статья Google Scholar

Ge, J.-F. и другие. Сверхпроводимость выше 100 К в однослойных пленках FeSe на легированном SrTiO 3 . Nat. Матер. 14 , 285–289 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Wang, Z. F. et al. Топологические краевые состояния в пленке высокотемпературного сверхпроводника FeSe / SrTiO ₃ (001). Nat. Матер. 15 , 968–973 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Инь, Ж.-Х. и другие. Обнаружение устойчивого связанного состояния с нулевой энергией в сверхпроводнике на основе железа Fe (Te, Se). Nat. Phys. 11 , 543–546 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Сюй, Г., Лянь, Б., Тан, П., Ци, X.-L. И Чжан, С.-К. Топологическая сверхпроводимость на поверхности сверхпроводников на основе Fe. Phys. Rev. Lett. 117 , 047001 (2016).

Артикул CAS Google Scholar

Чжан, П.и другие. Наблюдение топологической сверхпроводимости на поверхности сверхпроводника на основе железа. Наука 360 , 182–186 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Wang, D. et al. Доказательства связанных состояний Майорана в сверхпроводнике на основе железа. Наука 362 , 333–335 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Machida, T. et al. Связанное состояние вихря с нулевой энергией в сверхпроводящем топологическом поверхностном состоянии Fe (Se, Te). Nat. Матер. 18 , 811–881 (2019).

CAS Статья Google Scholar

Chen, M. et al. Дискретные уровни энергии состояний Кароли-де-Женна-Матрикона в квантовом пределе в FeTe _0,55 Se _0,45 . Nat. Commun. 9 , 970 (2018).

Артикул CAS Google Scholar

Massee, F. et al. Визуализация эффектов атомного масштаба облучения ионами высоких энергий на сверхпроводимость и закрепление вихрей в Fe (Se, Te). Sci. Adv. 1 , e1500033 (2015).

Артикул Google Scholar

Кларк Д. Дж., Алиса Дж. И Штенгель К. Экзотические неабелевы энионы из обычных дробных квантовых состояний Холла. Nat. Commun. 4 , 1348 (2013).

Артикул CAS Google Scholar

Li, P. et al. Доказательства топологического полуметалла Вейля типа II WTe ₂ . Nat. Commun. 8 , 2150 (2017).

Артикул CAS Google Scholar

Wu, S. et al. Наблюдение квантового спинового эффекта Холла до 100 кельвинов в монослойном кристалле. Наука 359 , 76–79 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Wang, H. et al. Высококачественный однослойный сверхпроводник NbSe ₂ , выращенный методом химического осаждения из газовой фазы. Nat. Commun. 8 , 394 (2017).

Артикул CAS Google Scholar

Mannix, A.J. et al. Синтез борофенов: анизотропные, двумерные полиморфы бора. Наука 350 , 1513–1516 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Лю X., Чжан З., Ван Л., Якобсон Б. И. и Херсам М. С. Перемешивание и периодическая самосборка дефектов линии борофена. Nat. Матер. 17 , 783–788 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Liu, X. et al. Геометрическая визуализация полиморфов борофена с функционализированными зондами. Nat. Commun. 10 , 1642 (2019).

Артикул CAS Google Scholar

Чжу, Ф.-Ф. и другие. Эпитаксиальный рост двумерного станена. Nat. Матер. 14 , 1020–1025 (2015).

CAS Статья Google Scholar

Лиан, Б., Сунь, X.-Q., Ваэзи, А., Ци, X.-L. И Чжан, С.-К. Топологические квантовые вычисления на основе киральных майорановских фермионов. Proc. Natl. Акад. Sci. США 115 , 10938–10942 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Chang, C.-Z. и другие. Экспериментальное наблюдение квантового аномального эффекта Холла в магнитном топологическом изоляторе. Наука 340 , 167–170 (2013).

CAS Статья Google Scholar

Ян Гонг, Дж. Дж. И Ян Гонг, Дж. Дж. Экспериментальная реализация внутреннего магнитного топологического изолятора. Подбородок. Phys. Lett. 36 , 076801 (2019).

Артикул Google Scholar

Li, J. et al. Собственные магнитные топологические изоляторы в слоистых ван-дер-ваальсовых материалах семейства MnBi ₂ Te ₄ . Sci. Adv. 5 , eaaw5685 (2019).

Артикул Google Scholar

Liu, C. et al. Квантовый фазовый переход от аксионного изолятора к изолятору Черна в MnBi ₂ Te ₄ . arXiv: 1905.00715 [cond-mat.mes-hall] (2019).

Deng, Y. et al. Квантованный аномальный эффект Холла, индуцированный магнитным полем, в собственном магнитном топологическом изоляторе MnBi ₂ Te ₄ . arXiv: 1904.11468 [cond-mat.mtrl-sci] (2019).

Cao, Y. et al. Коррелированное поведение изолятора при половинном заполнении в сверхрешетках графена под магическим углом. Природа 556 , 80–84 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Cao, Y. et al. Нетрадиционная сверхпроводимость в сверхрешетках графена под магическим углом. Природа 556 , 43–50 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Ribeiro-Palau, R. et al. Поворотная электроника с динамически вращающимися гетероструктурами. Наука 361 , 690–693 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Liu, X. et al. Нанозначение сканирующего зонда и послойное истончение черного фосфора. Adv. Матер. 29 , 1604121 (2017).

Артикул CAS Google Scholar

Wood, J. D. et al. Эффективная пассивация транзисторов с расслоенным черным фосфором против деградации окружающей среды. Nano Lett. 14 , 6964–6970 (2014).

CAS Статья Google Scholar

Ryder, C.R. et al. Ковалентная функционализация и пассивация расслоенного черного фосфора с помощью химии арилдиазония. Nat. Chem. 8 , 597–602 (2016).

CAS Статья Google Scholar

Wells, S. A. et al. Подавление внешней деградации устройств с расслоенным нанолистом InSe за счет инкапсуляции осаждения засеянного атомного слоя. Nano Lett. 18 , 7876–7882 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Щербаков Д. и др. Рамановская спектроскопия, фотокаталитическая деструкция и стабилизация атомарно тонкого трийодида хрома. Nano Lett. 18 , 4214–4219 (2018).

CAS Статья Google Scholar

Райдер К. Р., Вуд Дж. Д., Уэллс С. А. и Херсам М. С. Химическая обработка полупроводниковых двумерных дихалькогенидов переходных металлов и черного фосфора. АСУ Нано 10 , 3900–3917 (2016).

CAS Статья Google Scholar