Содержание

Материалы для творчества – РазДельный Сбор — сайт справочник

Материалы для творчества – верные помощники во всех хобби, связанных с рукоделием, рисованием, лепкой и др. Огромный выбор разных материалов для творчества мы видим каждый день на прилавках магазинов. Что же делать, если старое хобби давно забыто, а уже ненужные материалы до сих пор занимают место дома?

Переработка материалов для творчества

Прежде всего, нужно разобраться, конкретно о каком материале идет речь. Как мы уже упоминали, материалов для творчества огромное количество, поэтому посмотрите целиком нашу памятку “Что куда сдавать?” и постарайтесь отнести ваш материал к какой-либо из фракций.  Проверьте, подлежит ли она переработке или нет.

Чаще всего материал для творчества являются сложносоставной вещью, поэтому ее крайне сложно переработать.

Куда отдать материалы для творчества на повторное использование?

Если материалы в хорошем состоянии, то их можно:

  • можно отдать в детские дома, заранее убедившись, что у них есть такая потребность
  • продать или отдать даром через сервисы б/у продаж (Авито, Юла и тд)
  • поинтересоваться о наличии творческих секций в вашем районе, которым могли бы понадобиться материалы
  • обратите внимание на проекты и своп-фестивали, где можно обмениваться материалами для творчества и отдавать их просто так (Крафтшеринг,  Арт Свалка и др)
  • экоцентр и экомобиль нашего проекта Собиратора  (м. Кантемировская)

🌍  Найти куда сдавать вторсырьё в вашем городе удобнее на нашей карте экологических движений России и СНГ

⁉ Если у вас есть дополнительная полезная информация для этой страницы — напишите нам на почту [email protected]


Этот сайт — уникальный в России справочник о раздельном сборе, поддерживаемый волонтёрами и редактором движения «РазДельный Сбор». Нам нужна ваша поддержка!

 

864

Материалы

Название Профили Предметы
Тема
Автор
Задания всех этапов профиля "Технологии беспроводной связи" 2017 Профили Предметы Информатика Кому Автор Олимпиада НТИ
Курс «Введение в теорию солнечных ячеек» Профили Предметы Физика Кому Школьнику Автор Technical University of Denmark
Курс «Физика кремниевых солнечных ячеек» Профили Предметы Физика, Химия Кому Школьнику Автор École Polytechnique
Курс «Физика полупроводников» Профили Предметы Физика Кому Школьнику Автор Университет Колорадо в Боулдере
Отдельные переведенные главы учебника «Renewable energy. Power for sustainable future» от Оксфордского университета Профили Предметы Физика Кому Школьнику Автор Оксфордский университет
Практикумы 2019 Профили Предметы Информатика Кому Школьнику Автор Олимпиада НТИ
Сборник по итогам Олимпиады НТИ 2018/19. АС Профили Аэрокосмические системы Предметы Информатика, Физика Кому Школьнику Автор Олимпиада НТИ
Сборник по итогам Олимпиады НТИ 2018/19. БАС Профили Беспилотные авиационные системы Предметы Информатика, Физика Кому Школьнику Автор Олимпиада НТИ
«Изучаем OpenCV 3» Профили Предметы Информатика Кому Автор Кэлер, Брэдски
«Систематика, принципы работы и области применения датчиков» Профили Новые материалы Предметы Химия Кому Автор А. А. Егоров

Современные материалы для пломбирования зубов

Возможности стоматологии за последние несколько десятилетий изменились коренным образом. Это касается не только технологий, техник лечения и протезирования, а также стоматологического оборудования. Новые горизонты в лечении зубов открывает также многообразие материалов, в частности, используемых для пломбирования. Современные материалы, из которых устанавливают постоянные пломбы, отличаются беспрецедентной долговечностью. При условии правильного лечения кариеса, пломбирования и соблюдения правил гигиены полости рта такие пломбы служат годами, а иногда и десятилетиями.

Немного истории

Ещё 15-20 лет назад самыми «ходовыми» пломбировочными материалами в России были стоматологические цементы. В некоторых случаях использовались и устаревшие металлические пломбы. Первый тип, изготавливаемый по формуле «порошок + жидкость», препятствует образованию вторичного кариеса, но при этом отличается хрупкостью и повышенной склонностью к крошению (об этом не понаслышке знает практически каждый обладатель цементных пломб).

Второй (металлические пломбы из различных видов амальгамы) сегодня используется редко – по причине наличия небезопасных для организма соединений и крайне неэстетичного внешнего вида.

В XXI столетии на смену устаревшим материалам пришли светополимерные материалы, изготавливаемые на базе светоотверждаемых цементов, композитов, а также композитных полимеров. Светоотверждаемые (фотополимерные) композиты недаром считаются самым популярным решением для пломбирования зубов в нашей стране. По сути, речь идёт о смеси полимера, а также особого наполнителя, которая способна затвердевать под воздействием синего света, в свою очередь излучаемого специальной лампой.

Преимущества светополимерных материалов

  • Эстетичный внешний вид.
  • Высокая степень прочности и долговечности.
  • Возможность контролировать отвердение, которая позволяет врачу-стоматологу без лишней спешки работать над зубом ровно столько времени, сколько нужно.
  • Безопасность для организма.
  • Обширная цветовая гамма материалов, дающая возможность воспроизвести любые слои зуба, независимо от их оттенка и прозрачности.

Единственными недостатками здесь будут практически неизбежная усадка пломб, а также краевое прилегание. Именно по этой причине при наличии чересчур большой области поражения показано не пломбирование, а протезирование.

Материалы-композиты

Распространение также получили композитные материалы, демонстрирующие высокую устойчивость к истиранию и многим другим механическим повреждениям и деформациям. В то же время, далеко не все композиты одинаково безопасны для организма (в частности, речь идёт о довольно токсичных акрилосодержащих составах). В числе других проблемных моментов композитных пломб можно упомянуть их недолговечность (обычно до 3-4 лет) и не слишком привлекательный внешний вид.


Материалы для гидроизоляции: Какие бывают

Хорошая гидроизоляция — залог здоровой жизни в загородном доме.
В этой статье будут подробно рассмотрены самые известные материалы для проведения качественной изоляции, их достоинства и недостатки, особенности использования на той или иной поверхности.

Классификация материалов

По категории материала гидроизоляция делится на полимерную, битумную, минеральную и металлическую;

По физическому состоянию — на порошковую, мембранную, мастичную и рулонную;

По назначению — на поверхностную, шпоночную и комплексного назначения (выступает как тепло- и гидроизоляция одновременно).

По способу устройства делится на:

  • штукатурную и окрасочную — изоляция наносится в жидком состоянии, затем отвердевает и принимает окончательную форму;
  • литая — наливается на горизонтальную поверхность;
  • оклеечная — производится в виде рулонов и плит. При поклейке используют специальные составы, например, мастику;
  • инъекционная и пропиточная — распространена в проникающей изоляции;
  • монтируемая — устанавливается на поверхность с помощью крепежей.

Основные материалы для гидроизоляции

Ниже разберем самые популярные материалы, используемые при гидроизоляционных работах.

Рулонные материалы

Рулонные материалы часто встречаются в зданиях со старой планировкой, но и сегодня есть те, кто пользуется таким способом гидроизоляции, несмотря на появление новых, более совершенных средств. Обычно рулоны изготавливаются на основе картона. Он пропитывается специальными водоотталкивающими средствами. Таким способом изготавливают рубероид, бризол, гидробутил, стеклорубероид, гидроизол.

Толь

Самый простой представитель — толь. Это специальный картон для кровли с защитным зернистым слоем, который пропитывается дегтем. При поклейке закрепляют толевыми гвоздями (для деревянных зданий) или используют горячую мастику.

Рулонно-битумные материалы

Рулонно-битумные материалы сегодня более популярны из-за повышенных эксплуатационных характеристик, по сравнению с обычными рулонными. Наиболее популярные представители представлены ниже.

Рубероид

Состоит из кровельного картона и битума, который используется в качестве вяжущей основы. Его можно клеить на горячую или на холодную мастику. На рынке представлен как с защитным слоем из крупного зерна (класс К), так и без него (класс П). Срок службы 4-8 лет, характеризуется дешевизной, прочностью и эластичностью;

Пергамин

Аналогичен рубероиду (специальный картон и битум в основах), без защитного слоя. Он тоньше и не такой прочный, поэтому используется, как вспомогательный материал для подкладки под изоляцию;

Изол

В основе изола лежит картон, битум с крошками резины и различными добавками, отсутствует слой для защиты. Используется, преимущественно, в пароизоляции;

Стеклоизол

Состоит из стекловолокна и битумного состава с добавками — это двусторонний материал, который можно наносить наплавлением или оклейкой. Отличается большим сроком службы (около 20 лет), по сравнению с изолом;

Производные изола

Гидроизол (основа асбестовый картон), металлоизол (в основании фольга), фольгоизол (металлоизол) отличаются незначительно. Они применяются как в паро- так и в гидроизоляции;

Пленочные материалы

Сюда входят пленки из полиэтилена, полипропилена и ПВХ мембраны. Материалы легкие и практичные в монтаже и эксплуатации. Для прочности пленка из полиэтилена скрепляется армирующей сеткой. Полипропиленовые аналоги прочнее и лучше противостоят УФ излучению. ПВХ мембраны устойчивы к физическим и химическим воздействиям, хорошо переносят перепады температур и служат 20-30 лет. Низкая стоимость обусловливает популярность материала. Он универсален и может быть использован как для гидроизоляции крыши, так и для фундамента или бассейна.

Гидроизоляционные пленки Ондутис

Пленки Ондутис — это экологически чистые, надежные и долговечные материалы нового поколения для качественной гидроизоляции. Их отличают практичность и легкость установки.

Для гидроизоляции подойдут пленки:

  • Ондутис RS — армированная пленка для подкровельной гидроизоляции;
  • Ондутис D (RV) используется для гидроизоляции крыш с металлическим покрытием;
  • Ондутис А100 — материал для изоляции стен и скатных крыш с внешней стороны;
  • Супердифузионные мембраны SA115 и SA130 защищают внутренние элементы стен от влаги, проникающей в дом снаружи.

Мастичные материалы

Мастики — пластичные составы на клею, в основе которых вяжущие вещества и различные дисперсионные наполнители. Они предназначены для герметизации стыков в панельных зданиях и межпанельных швов. Выпускаются как в виде готовой смеси (холодные), так и для замешивания перед непосредственно проведением гидроизоляции (горячие). Срок службы мастичной гидроизоляции около 10 лет.

Битумные мастики

Обычно используют для внутренней и наружной изоляции бетонных, кирпичных, железобетонных, металлических и деревянных конструкций. Они эластичны, имеют хорошую сцепку с основанием, тепло- и влагоустойчивы;

Водоэмульсионные

Применяются для проведения внутренней изоляции балконов, подвалов и ремонта кровли любого вида.

Порошковые материалы

Гидроизоляционные порошки — смеси из цемента, различных добавок и синтетических смол. Перед использованием их заливают жидкостью, доводя до нужного состояния. Порошки хорошо заполняют стыки, швы и трещины, быстро твердеют. Недостатки: шов неэластичен, поэтому не рекомендуется использовать в местах, где возможна вибрация и дальнейшая усадка. Они удобны для проведения внутренних работ. После разведения водой порошок годен к использованию на протяжении получаса.

Жидкие материалы

Гидрофобизаторы — это смесь силикона, органических растворителей и соединений силикатных кислот. Материал используется для проникающей изоляции. Кирпич и бетон быстро впитывает гидроизоляцию благодаря своей пористой структуре. Гидрофобизаторы не занимают дополнительного пространства, находятся в середине конструкций и не требуют дополнительного декоративного слоя. После отвердевания материал способен пропускать пар и воздух. Гидрофобизаторы на водной основе следует наносить раз в 1-3 года, а на основе растворителей каждые 7-10 лет.

Заключение

Качественная гидроизоляция дома поможет сохранить тепло в доме — утеплитель на намокнет и не потеряет своих функций, в изолированном от влаги доме не будет размножаться грибок и не прогниют стены.

3 голоса , пожалуйста, оцените статью:

Материалы для прессы | QNAP

Выберите изделиеD1D2D2 ProD4D4 ProEJ1600 v2ES1640dc v2ES1686dcES2486dcHS-453DXQBoat SunnyREXP-1000 ProREXP-1210U-RPREXP-1610U-RPREXP-1620U-RPS2SS-EC1279U-SAS-RPSS-EC1879U-SAS-RPTDS-16489U R2TES-1885UTES-3085UTL-D800CTL-D800STL-D1600STL-R1200C-RPTL-R1200S-RPTL-R1220Sep-RPTL-R1620Sep-RPTR-002TR-004TR-004UTS-131KTS-231KTS-231PTS-231P2TS-231P3TS-251+TS-251BTS-251DTS-253BTS-253BeTS-253DTS-431KTS-431KXTS-431PTS-431P2TS-431P3TS-431XTS-431X2TS-431X3TS-431XeUTS-432PXUTS-432XUTS-432XU-RPTS-451+TS-451DeUTS-453BTS-453BT3TS-453BUTS-453BU-RPTS-453BeTS-453BminiTS-453DTS-453DUTS-453DU-RPTS-463XUTS-463XU-RPTS-473TS-653BTS-653DTS-673TS-673ATS-677TS-832PXTS-832PXUTS-832PXU-RPTS-832XTS-832XUTS-832XU-RPTS-853BUTS-853BU-RPTS-863XUTS-863XU-RPTS-873TS-873ATS-873AUTS-873AU-RPTS-873UTS-873U-RPTS-877TS-877XUTS-877XU-RPTS-883XUTS-883XU-RPTS-932PXTS-932XTS-963XTS-977XUTS-977XU-RPTS-983XUTS-983XU-RPTS-1232PXU-RPTS-1232XUTS-1232XU-RPTS-1253BUTS-1253BU-RPTS-1253DU-RPTS-1263XUTS-1263XU-RPTS-1273AU-RPTS-1273UTS-1273U-RPTS-1277TS-1277XU-RPTS-1283XU-RPTS-1635AXTS-1673AU-RPTS-1673UTS-1673U-RPTS-1677XTS-1677XU-RPTS-1683XU-RPTS-1685TS-1886XU-RPTS-2477XU-RPTS-2483XU-RPTS-2888XTS-h686TS-h886TS-h973AXTS-h977XU-RPTS-h2277XU-RPTS-h2283XU-RPTS-h2683XU-RPTS-h2886XU-RPTS-h3483XU-RPTS-h3490FUTS-h4088XU-RPTVS-472XTTVS-473eTVS-672NTVS-672XTTVS-673eTVS-872NTVS-872XTTVS-872XU-RPTVS-873eTVS-882BRTVS-882BRT3TVS-882ST2TVS-882ST3TVS-951XTVS-972XU-RPTVS-1272XU-RPTVS-1282T3TVS-1582TUTVS-1672XU-RPTVS-2472XU-RPTVS-EC1280U-SAS-RP R2TVS-h2288XTVS-h2688XTX-500PVS-6112 Pro+VS-8040U-RPVS-8124 Pro+VSM-2000VSM-4000U-RPАрхивные моделиHS-210HS-251HS-251+IS-400 ProIS-453SQG-103NREXP-1200U-RPREXP-1600U-RPSS-EC2479U-SAS-RPTAS-168TAS-268TBS-453ATDS-16489UTS-109 ProTS-109 Pro IITS-110TS-112TS-112PTS-119TS-119P+TS-119P IITS-120TS-121TS-128TS-131TS-131PTS-209 ProTS-209 Pro IITS-210TS-212TS-212-ETS-212PTS-219PTS-219P+TS-219P IITS-220TS-221TS-228TS-231TS-231+TS-239 ProTS-239 Pro IITS-239 Pro II+TS-251TS-251ATS-251CTS-253 ProTS-253ATS-259 ProTS-259 Pro+TS-259 Pro IITS-269 ProTS-269LTS-409 ProTS-410TS-410UTS-412TS-412UTS-419PTS-419P+TS-419P IITS-419UTS-419U+TS-419U IITS-420TS-420UTS-421TS-421UTS-431TS-431+TS-431UTS-431XUTS-431XU-RPTS-439 ProTS-439 Pro IITS-439Pro II+TS-451TS-451ATS-451STS-451UTS-453 ProTS-453ATS-453S ProTS-453UTS-453U-RPTS-453miniTS-459 ProTS-459 Pro+TS-459 Pro IITS-459UTS-459U+TS-459U-RP+/SP+TS-459U-RP/SPTS-463UTS-463U-RPTS-469 ProTS-469LTS-469U-RPTS-470TS-470 ProTS-509 ProTS-531PTS-531XTS-559 ProTS-559 Pro+TS-559 Pro IITS-563TS-569 ProTS-569LTS-639 ProTS-651TS-653 ProTS-653ATS-659 ProTS-659 Pro+TS-659 Pro IITS-669 ProTS-669LTS-670TS-670 ProTS-809 ProTS-809U-RPTS-831XTS-831XUTS-831XU-RPTS-851TS-853 ProTS-853ATS-853S ProTS-853UTS-853U-RPTS-859 ProTS-859 Pro+TS-859UTS-859U-RPTS-859U-RP+TS-863UTS-863U-RPTS-869 ProTS-869LTS-869U-RPTS-870TS-870 ProTS-870U-RPTS-879 ProTS-879U-RPTS-1079 ProTS-1231XUTS-1231XU-RPTS-1253UTS-1253U-RPTS-1263UTS-1263U-RPTS-1269U-RPTS-1270U-RPTS-1279U-RPTS-1635TS-EC879U-RPTS-EC880 ProTS-EC880U-RPTS-EC880U R2TS-EC1080 ProTS-EC1279U-RPTS-EC1279U-SAS-RPTS-EC1280U-RPTS-EC1280U R2TS-EC1679U-RPTS-EC1679U-SAS-RPTS-EC1680U-RPTS-EC1680U R2TS-EC2480U-RPTS-EC2480U R2TVS-463TVS-471TVS-471UTVS-471U-RPTVS-473TVS-663TVS-671TVS-673TVS-682TVS-682TTVS-863TVS-863+TVS-871TVS-871TTVS-871U-RPTVS-873TVS-882TVS-882TTVS-1271U-RPTVS-1282TVS-1282TTVS-EC880TVS-EC1080TVS-EC1080+TVS-EC1280U-SAS-RPTVS-EC1580MU-SAS-RP R2TVS-EC1680U-SAS-RPTVS-EC1680U-SAS-RP R2TVS-EC2480U-SAS-RPTVS-EC2480U-SAS-RP R2TX-800PUX-500PUX-800PUX-800U-RPUX-1200U-RPVS-2004 ProVS-2008VS-2008 ProVS-2012VS-2012 ProVS-2104 Pro+VS-2104LVS-2108 Pro+VS-2108LVS-2204 Pro+VS-4008 ProVS-4008U-RP ProVS-4012 ProVS-4012U-RP ProVS-4016 ProVS-4016UVS-4016U-RP ProVS-4108 Pro+VS-4108U-RP Pro+VS-4112 Pro+VS-5012VS-5020VS-6012 ProVS-6016 ProVS-6020 ProVS-6116 Pro+VS-6120 Pro+VS-8024VS-8024U-RPVS-8032VS-8040VS-8124U-RP ProVS-8124U-RP Pro+VS-8132 Pro+VS-8132U-RP ProVS-8140U-RP ProVS-8148 Pro+VS-8148U-RP ProVS-12140U-RP Pro+VS-12148U-RP ProVS-12156U-RP Pro+VS-12164U-RP Pro+VS-S2204 Pro+

Материалы для моделизма | Все для моделиста

Главная

Материалы для моделизма

Новинка

Артикул: AK-8013

Акриловый продукт для создания текстуры асфальта черно-серог. ..

Показать полностью

Акриловый продукт для создания текстуры асфальта черно-серого оттенка, как на дорогах, шоссе или любой асфальтовой поверхности. Это высококачественный акриловый продукт, разработанный для достижения максимальной реалистичности.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Тип ландшафта или покрытияДорожное покрытие
ЦветСерый
КатегорияМакет

1 400 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-8014

Акриловый продукт для создания текстуры бетона серого оттенк...

Показать полностью

Акриловый продукт для создания текстуры бетона серого оттенка, как на взлетно-посадочных полосах или бетонных зданиях. Это высококачественный акриловый продукт, разработанный для достижения максимальной реалистичности.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Тип ландшафта или покрытияБетон
ЦветСерый
КатегорияМакет

1 400 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-8028

Жидкокристаллический слегка окрашенный продукт для воспроизв. ..

Показать полностью

Жидкокристаллический слегка окрашенный продукт для воспроизведения грязной стоячей воды в лужах на диорамах и виньетках. Гель Puddles самовыравнивается и может течь по неровным поверхностям. Наносить тонкими слоями не более 3 мм за раз. Если желательно создать глубину, наращивайте тонкие слои. Состав этого геля позволяет легко работать с кистью, получая очень реалистичную текстуру. Не токсичен.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Тип ландшафта или покрытияИмитация воды
ЦветБежевый
КатегорияМакет

800 Р

Богатырский 10

Артикул: MW-OIL-47500

Тунговое масло MINWAX® Tung Oil Finish – профессиональная фи...

Показать полностью

Тунговое масло MINWAX® Tung Oil Finish – профессиональная финишная отделка для деревянных поверхностей, делает текстуру древесины насыщенной за счет глубокого проникновения, придает поверхности блеск, а также обеспечивает прочный слой защиты.

Скрыть

БрендMINWAX
Объем 473 мл
Тип изделияМатериалы
Страна производстваСША

1 130 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: ABT-310

Набор масляных красок ABTEILUNG 502 высокого качества с проч...

Показать полностью

Набор масляных красок ABTEILUNG 502 высокого качества с прочными, стабильными и яркими пигментами. Обладает высокой плотностью, глубиной и интенсивностью цветов. в этом наборе вы найдете все основные цвета для научно-фантастических и фентези моделей: от космических кораблей до фантастических существ. Смешивая их, вы можете получить столько цветов, сколько необходимо, чтобы получить необычные оттенки, характерные в этом типе миниатюры.

Скрыть

БрендABTEILUNG 502
Вид краскиМасляная краска
ЦветНабор
Объем 20 мл
Страна производстваИспания

2 340 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: ABT-315

Набор масляных красок ABTEILUNG 502 высокого качества с проч. ..

Показать полностью

Набор масляных красок ABTEILUNG 502 высокого качества с прочными, стабильными и яркими пигментами. Обладает высокой плотностью, глубиной и интенсивностью цветов. в этом наборе вы найдете все цвета для окраски различных тонов кожи и дерева. Все это теплые цвета, которые при смешивании дают практически любой оттенок кожи и дерева, также с их помощью вы сможете создать света и тени на окрашиваемых поверхностях.

Скрыть

БрендABTEILUNG 502
Вид краскиМасляная краска
ЦветНабор
Объем 20 мл
Страна производстваИспания

2 340 Р

Богатырский 10

Артикул: PC-ART002

Art base - основа краски для прозрачных тонов, 18 мл...

Показать полностью

Art base - основа краски для прозрачных тонов, 18 мл

Скрыть

БрендPACIFIC88
Вид краскиОснова
ЦветПрозрачный
Объем 18 мл
Страна производстваРоссия

125 Р

Богатырский 10

Артикул: KS9885

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 3,2 мм. Длина...

Показать полностью

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 3,2 мм. Длина 30 см.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

230 Р

Богатырский 10

Артикул: KS815017

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 3,2х1,6 мм. Д...

Показать полностью

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 3,2х1,6 мм. Длина 30 см.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

240 Р

Богатырский 10

Артикул: KS9886

Латунный С-образный профиль (швеллер) толщиной 0,3 мм и разм...

Показать полностью

Латунный С-образный профиль (швеллер) толщиной 0,3 мм и размером 3,2х4,75 мм. Длина 30 см.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

230 Р

Богатырский 10

Артикул: KS9887

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 6,4х6,4 мм. Д...

Показать полностью

Латунный С-образный профиль (швеллер) размером 6,4х6,4 мм. Длина 30 см.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

230 Р

Богатырский 10

Артикул: KAV-L-500

​Средство для очистки аэрографов, краскопультов и другого ин...

Показать полностью

​Средство для очистки аэрографов, краскопультов и другого инструмента для окраски.

Скрыть

БрендKAV MODELS
Вид краскиРазбавитель
ЦветПрозрачный
Объем 250 мл
Страна производстваРоссия

250 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-11236

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специальн. ..

Показать полностью

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специально разработанные составы AK Interactive 3rd GENERATION Auxiliary​, которые могут изменять свойства красок.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Вид краскиХудожественный эффект
ЦветПрозрачный
Объем 17 мл
Страна производстваИспания

220 Р

Богатырский 10

Артикул: TM-87044

Обработка поверхности перед окрашиванием или покрытием лаком...

Показать полностью

Обработка поверхности перед окрашиванием или покрытием лаком представляет собой важный этап в работе моделиста, поскольку именно здесь решается, на какой срок рассчитана модель и насколько она способна выдерживать воздействие внешней среды. Для того чтобы положительно ответить на все вышеизложенные вопросы, опытные конструкторы традиционно используют грунтовку, с помощью которой не только обеспечивается надежный контакт между покрытием и поверхностью, но и решается целый ряд других задач. Речь идет о противодействии коррозии, а также об устранении внешних дефектов, замазывании пор и т.д. В целом использование грунтовки автоматически означает, что макет проживет долгую и насыщенную жизнь.

Скрыть

БрендTAMIYA
Вид краскиГрунт
ЦветБелый
Объем 180 мл
Страна производстваЯпония

750 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-11233

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специальн...

Показать полностью

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специально разработанные составы AK Interactive 3rd GENERATION Auxiliary​, которые могут изменять свойства красок.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Вид краскиХудожественный эффект
ЦветПрозрачный
Объем 17 мл
Страна производстваИспания

220 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-11235

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специальн. ..

Показать полностью

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специально разработанные составы AK Interactive 3rd GENERATION Auxiliary​, которые могут изменять свойства красок.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Вид краскиХудожественный эффект
ЦветПрозрачный
Объем 17 мл
Страна производстваИспания

220 Р

Богатырский 10

Артикул: KS815010

Латунный Н-образный профиль (двутавр) размером 3,2х3,2 мм. Д...

Показать полностью

Латунный Н-образный профиль (двутавр) размером 3,2х3,2 мм. Длина 30 см.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

330 Р

Богатырский 10

Артикул: KS15013

Латунный I-образный профиль размером 3,2х1,6 мм. Длина 30 см...

Показать полностью

Латунный I-образный профиль размером 3,2х1,6 мм. Длина 30 см. Применяется на многих этапах изготовления стендовых моделей. Легко гнется и обрабатывается. Количество 1 штука.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

230 Р

Богатырский 10

Артикул: KS15014

Латунный I-образный профиль размером 4,8х2,4 мм. Длина 30 см...

Показать полностью

Латунный I-образный профиль размером 4,8х2,4 мм. Длина 30 см. Применяется на многих этапах изготовления стендовых моделей. Легко гнется и обрабатывается. Количество 1 штука.

Скрыть

БрендK&S ENGENERING
Тип изделияМатериалы
МатериалМеталл
Тип металлаЛатунь

230 Р

Богатырский 10

Новинка

Артикул: AK-11234

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специальн. ..

Показать полностью

​Бутылочки, помеченные серыми этикетками, содержат специально разработанные составы AK Interactive 3rd GENERATION Auxiliary​, которые могут изменять свойства красок.

Скрыть

БрендAK INTERACTIVE
Вид краскиХудожественный эффект
ЦветПрозрачный
Объем 17 мл
Страна производстваИспания

220 Р

Богатырский 10

Сегодняшнее моделирование отличает высокий уровень сложности и большое количество различных материалов, используемых для создания макетов и конструкций. ModelsWorld предлагает богатый ассортимент специальной продукции, способной не только облегчить конструктору задачу, но и поднять уровень работы на недосягаемую высоту. Среди представленных материалов прежде всего фигурирует множество видов клея, специальные рейки для обшивки, пластиковые пластины, шпатлевки, маски, трафареты. Кроме этого, здесь имеются химические жидкости, прутки из латуни и меди, морилки, полимерные смеси, деревянные заготовки. Столь широкий перечень представленной продукции гарантирует моделисту создание детальной копии того или иного прототипа корабля, авиационной модели или автомобиля. При этом все виды товаров отличаются широким ассортиментом представленных образцов. Так деревянные заготовки включают в себя образцы такой редкой древесины, как бальза, растущей исключительно в тропиках Азии и Южной Америки. Каждый вид моделирования найдет у нас специально предназначенный для него материал - от авиационной фанеры до реек, предназначенных для обшивки корабельного корпуса. Краски и лаки выпускаются как в стандартных упаковках, так и в виде аэрозоля, что существенно упрощает процесс, позволяя придать модели любой цвет в кратчайшие сроки и сделав это максимально равномерно. Цветовая гамма ничем не ограничена и включает в себя все существующие на сегодняшний день оттенки, предоставляя моделисту широчайший простор для маневра. При этом вся без исключения продукция отличается высочайшим качеством, поскольку мы работаем только с ведущими мировыми производителями, а товары нашего собственного изготовления создаются с использованием качественного сырья и новейшего оборудования.

2D-материалов для квантовой информатики

  • 1.

    Фейнман Р. П. Моделирование физики с помощью компьютеров. Внутр. J. Theor. Phys. 21 , 467–488 (1982).

    Артикул Google Scholar

  • 2.

    Шор П. В. Полиномиальные алгоритмы разложения на простые множители и дискретных логарифмов на квантовом компьютере. SIAM J. Comput. 26 , 1484–1509 (1997).

    Артикул Google Scholar

  • 3.

    Ди Винченцо, Д. П. Физическая реализация квантовых вычислений. Fortschr. Phys. 48 , 771–783 (2000).

    Артикул Google Scholar

  • 4.

    Vandersypen, L. M. K. et al. Экспериментальная реализация алгоритма квантового разложения Шора с использованием ядерного магнитного резонанса. Nature 414 , 883–887 (2001).

    CAS Статья Google Scholar

  • 5.

    Monz, T. et al. Реализация масштабируемого алгоритма Шора. Наука 351 , 1068–1070 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 6.

    Новоселов К.С. и др. Двумерный газ безмассовых дираковских фермионов в графене. Природа 438 , 197 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 7.

    Наяк, К., Саймон, С. Х., Стерн, А., Фридман, М., Дас Сарма, С. Неабелевы энионы и топологические квантовые вычисления. Ред. Мод. Phys. 80 , 1083–1159 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 8.

    Цянь, X., Лю, Дж., Фу, Л. и Ли, Дж. Квантовый спиновый эффект Холла в двумерных дихалькогенидах переходных металлов. Наука 346 , 1344–1347 (2014).

    CAS Статья Google Scholar

  • 9.

    Лю, X. и Херсам, М. С. Определение характеристик интерфейса и контроль 2D-материалов и гетероструктур. Adv. Матер. 30 , 1801586 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 10.

    Хэнсон, Р., Кувенховен, Л. П., Петта, Дж. Р., Таруча, С. и Вандерсипен, Л. М. К. Спины в малоэлектронных квантовых точках. Ред. Мод. Phys. 79 , 1217–1265 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 11.

    Лосс, Д. и Ди Винченцо, Д. П. Квантовые вычисления с квантовыми точками. Phys. Ред. A 57 , 120–126 (1998).

    CAS Статья Google Scholar

  • 12.

    Новак К. К., Коппенс Ф. Х. Л., Назаров Ю. В. и Вандерсипен Л. М. Когерентное управление спином одного электрона электрическими полями. Наука 318 , 1430–1433 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 13.

    Рашба, Э. И. и Эфрос, Ал. L. Орбитальные механизмы манипулирования электронным спином электрическим полем. Phys. Rev. Lett. 91 , 126405 (2003).

    CAS Статья Google Scholar

  • 14.

    Pioro-Ladrière, M. et al. Одноэлектронный спиновой резонанс с электрическим приводом в наклонном зеемановском поле. Nat. Phys. 4 , 776–779 (2008).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 15.

    Koppens, F. H. L. et al. Управляемые когерентные колебания спина одиночного электрона в квантовой точке. Природа 442 , 766–771 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 16.

    Клоффель, К. и Лосс, Д. Перспективы спиновых квантовых вычислений в квантовых точках. Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 4 , 51–81 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 17.

    Medford, J. et al. Резонансный обменный кубит на основе квантовых точек. Phys. Rev. Lett. 111 , 050501 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 18.

    Landig, A. J. et al. Когерентное спин-фотонное взаимодействие с использованием резонансного обменного кубита. Природа 560 , 179–184 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 19.

    Горман Дж., Хаско Д. Г. и Уильямс Д. А. Заряд-кубитная операция изолированной двойной квантовой точки. Phys. Rev. Lett. 95 , 0

  • (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 20.

    Хаяси, Т., Фудзисава, Т., Чеонг, Х. Д., Чон, Ю. Х. и Хираяма, Ю. Когерентное манипулирование электронными состояниями в двойной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 91 , 226804 (2003).

    CAS Статья Google Scholar

  • 21.

    Надж-Перге, С., Фролов, С. М., Баккерс, Э. П. А. М., Кувенховен, Л. П. Спин-орбитальный кубит в полупроводниковой нанопроволоке. Природа 468 , 1084–1087 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 22.

    Stockklauser, A. et al. Резонатор с сильной связью QED с двойными квантовыми точками, определяемыми затвором, благодаря высокоомному резонатору. Phys. Ред. X 7 , 011030 (2017).

    Google Scholar

  • 23.

    Mi, X., Cady, J. V., Zajac, D. M., Deelman, P. W. & Petta, J. R. Сильная связь одиночного электрона в кремнии с микроволновым фотоном. Наука 355 , 156–158 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 24.

    Самхарадзе Н. и др. Сильная спин-фотонная связь в кремнии. Наука 359 , 1123–1127 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 25.

    Де Соуза, Р. и Сарма, С. Д. Когерентность электронного спина в полупроводниках: соображения для архитектуры твердотельного квантового компьютера на основе спина. Phys. Ред. B 67 , 033301 (2003).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 26.

    Фукс М., Рычков В. и Траузеттель Б. Спиновая декогеренция в графеновых квантовых точках из-за сверхтонкого взаимодействия. Phys. Ред. B 86 , 085301 (2012).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 27.

    Уэртас-Эрнандо, Д., Гвинея, Ф. и Братаас, А. Спин-орбитальная связь в изогнутом графене, фуллеренах, нанотрубках и крышках нанотрубок. Phys. Ред. B 74 , 155426 (2006).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 28.

    Гюттингер Дж., Фрей Т., Штампфер К., Ин Т. и Энслин К. Спиновые состояния в графеновых квантовых точках. Phys. Rev. Lett. 105 , 116801 (2010).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 29.

    Hanson, R. et al. Зеемановская энергия и спиновая релаксация в одноэлектронной квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 91 , 196802 (2003).

    CAS Статья Google Scholar

  • 30.

    Eich, M. et al. Спиновые и долинные состояния в квантовых точках двухслойного графена, заданных вентилем. Phys. Ред. X 8 , 031023 (2018).

    CAS Google Scholar

  • 31.

    Чо, С.-Х., Ким, Б.-Х. И Парк, С.-Дж. Эффект кулоновской блокады при комнатной температуре в кремниевых квантовых точках в пленках нитрида кремния. заявл. Phys. Lett. 89 , 013116 (2006).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 32.

    Shin, S.J. et al. Стабильность заряда при комнатной температуре, модулированная квантовыми эффектами в наноразмерном островке кремния. Nano Lett. 11 , 1591–1597 (2011).

    CAS Статья Google Scholar

  • 33.

    Пономаренко Л.А. и др. Хаотический бильярд Дирака в графеновых квантовых точках. Наука 320 , 356–358 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 34.

    Wurm, J. et al. Классы симметрии в графеновых квантовых точках: универсальная спектральная статистика, слабая локализация и флуктуации проводимости. Phys. Rev. Lett. 102 , 056806 (2009).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 35.

    Stampfer, C. et al. Энергетические щели в вытравленных графеновых нанолентах. Phys. Rev. Lett. 102 , 056403 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 36.

    Stampfer, C. et al. Перестраиваемый графеновый одноэлектронный транзистор. Nano Lett. 8 , 2378–2383 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 37.

    Güttinger, J. et al. Электронно-дырочный кроссовер в графеновых квантовых точках. Phys. Rev. Lett. 103 , 046810 (2009).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 38.

    Volk, C. et al. Исследование времен релаксации в графеновых квантовых точках. Nat. Commun. 4 , 1753 (2013).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 39.

    Schnez, S. et al. Наблюдение возбужденных состояний в графеновой квантовой точке. заявл. Phys. Lett. 94 , 012107 (2009).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 40.

    Лю, X. Л., Хуг, Д. и Вандерсипен, Л. М. К. Гейт-определенные двойные квантовые точки графена и спектроскопия возбужденного состояния. Nano Lett. 10 , 1623–1627 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 41.

    Fujisawa, T., Tokura, Y. & Hirayama, Y. Процесс релаксации энергии в квантовой точке изучается с помощью измерений постоянного и импульсного тока. Phys. B Конденс. Matter 298 , 573–579 (2001).

    CAS Статья Google Scholar

  • 42.

    Engels, S. et al. Травленные квантовые точки графена на гексагональном нитриде бора. заявл. Phys. Lett. 103 , 073113 (2013).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 43.

    Xue, J. et al. Сканирующая туннельная микроскопия и спектроскопия ультраплоского графена на гексагональном нитриде бора. Nat. Матер. 10 , 282–285 (2011).

    CAS Статья Google Scholar

  • 44.

    Кацнельсон, М. И., Новоселов, К. С., Гейм, А. К. Хиральное туннелирование и парадокс Клейна в графене. Nat. Phys. 2 , 620–625 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 45.

    Матулис А. и Петерс Ф. М. Квазисвязанные состояния квантовых точек в однослойном и двухслойном графене. Phys. Ред. B 77 , 115423 (2008).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 46.

    Бардарсон, Дж. Х., Титов, М. и Брауэр, П. У. Электростатическое удержание электронов в интегрируемой графеновой квантовой точке. Phys. Rev. Lett. 102 , 226803 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 47.

    Охта Т., Боствик А., Сейллер Т., Хорн К. и Ротенберг Э. Управление электронной структурой двухслойного графена. Наука 313 , 951–954 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 48.

    Оостинга, Дж. Б., Хеерш, Х. Б., Лю, X., Морпурго, А. Ф. и Вандерсипен, Л. М. К. Изоляционное состояние, индуцированное затвором в устройствах с двухслойным графеном. Nat. Матер. 7 , 151–157 (2008).

    CAS Статья Google Scholar

  • 49.

    Zhang, Y. et al. Прямое наблюдение широко настраиваемой запрещенной зоны в двухслойном графене. Природа 459 , 820–823 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 50.

    Alden, J. S. et al. Деформационные солитоны и топологические дефекты в двухслойном графене. Proc. Natl. Акад. Sci. США 110 , 11256–11260 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 51.

    Ju, L. et al. Топологический перенос долин на доменных стенках двухслойного графена. Природа 520 , 650–655 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 52.

    Eich, M. et al. Связанные квантовые точки в двухслойном графене. Nano Lett. 18 , 5042–5048 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 53.

    Goossens, A. et al. Затворное удержание в гибридных устройствах двухслойный графен-гексагональный нитрид бора. Nano Lett. 12 , 4656–4660 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 54.

    Kurzmann, A. et al. Возбужденные состояния в квантовых точках двухслойного графена. arXiv: 1904.07185 [cond-mat.mes-hall] (2019).

  • 55.

    Климов Н.Н. и др. Электромеханические свойства графеновых пластин. Наука 336 , 1557–1561 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 56.

    Freitag, N. M. et al. Расщепление больших перестраиваемых долин в бескрайних квантовых точках графена на нитриде бора. Nat. Nanotechnol. 13 , 392–397 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 57.

    Eng, K. et al. Кубит с тройными квантовыми точками, усиленный изотопами. Sci. Adv. 1 , e1500214 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 58.

    Connolly, M. R. et al. Накачка гигагерцового квантованного заряда в графеновых квантовых точках. Nat.Nanotechnol. 8 , 417–420 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 59.

    Volk, C. et al. Электронные возбужденные состояния в двойных квантовых точках двухслойного графена. Nano Lett. 11 , 3581–3586 (2011).

    CAS Статья Google Scholar

  • 60.

    Chiu, K. L. et al. Перераспределение заряда в неупорядоченных двойных квантовых точках графена под действием магнитного поля. Phys. Ред. B 92 , 155408 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 61.

    Ролинг Н. и Буркард Г. Универсальные квантовые вычисления со спиновыми и долинными состояниями. New J. Phys. 14 , 083008 (2012).

    Артикул Google Scholar

  • 62.

    Речер П., Нильссон Дж., Буркард Г. и Траузеттель Б. Связанные состояния и индуцированное магнитным полем расщепление долин в настраиваемых затвором графеновых квантовых точках. Phys. Ред. B 79 , 085407 (2009).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 63.

    Перейра, Дж. М., Петерс, Ф. М., Василопулос, П., Коста Филью, Р. Н. и Фариас, Г. А. Уровни Ландау в двухслойных квантовых точках графена. Phys. Ред. B 79 , 195403 (2009).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 64.

    Траузеттель, Б., Булаев, Д. В., Лосс, Д., Буркард, Г. Спиновые кубиты в графеновых квантовых точках. Nat. Phys. 3 , 192–196 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 65.

    Фалько В. Квантовая информация о сетке. Nat. Phys. 3 , 151–152 (2007).

    Артикул Google Scholar

  • 66.

    Goldhaber-Gordon, D. et al.Эффект Кондо в одноэлектронном транзисторе. Nature 391 , 156–159 (1998).

    CAS Статья Google Scholar

  • 67.

    Вайнманн Д., Хойслер В. и Крамер Б. Спиновые блокады при линейном и нелинейном переносе через квантовые точки. Phys. Rev. Lett. 74 , 984–987 (1995).

    CAS Статья Google Scholar

  • 68.

    Сольс, Ф., Гвинея, Ф. и Нето, А. Х. С. Кулоновская блокада в графеновых нанолентах. Phys. Rev. Lett. 99 , 166803 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 69.

    Deng, G.-W. и другие. Зависимость от зарядового числа скоростей дефазировки двойной графеновой квантовой точки в схемной архитектуре КЭД. Phys. Rev. Lett. 115 , 126804 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 70.

    Deng, G.-W. и другие. Связь двух далеких двойных квантовых точек с микроволновым резонатором. Nano Lett. 15 , 6620–6625 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 71.

    Hamer, M. et al. Затворно-определяемое квантовое ограничение в ван-дер-ваальсовых гетероструктурах на основе InSe. Nano Lett. 18 , 3950–3955 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 72.

    Liu, X. et al. Соизмеримый с вращением рост MoS 2 на эпитаксиальном графене. АСУ Нано 10 , 1067–1075 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 73.

    Манзели С., Овчинников Д., Паскье Д., Язев О. В. и Кис А. Двумерные дихалькогениды переходных металлов. Nat. Rev. Mater. 2 , 17033 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 74.

    Schaibley, J. R. et al. Valleytronics в 2D материалах. Nat. Rev. Mater. 1 , 16055 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 75.

    Мак К. Ф. и Шан Дж. Фотоника и оптоэлектроника двумерных полупроводниковых дихалькогенидов переходных металлов. Nat. Фотоника 10 , 216–226 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 76.

    Тода, Ю., Мориваки, О., Нисиока, М., Аракава, Ю. Эффективный механизм релаксации носителей заряда в самоорганизующихся квантовых точках InGaAs / GaAs, основанный на существовании состояний континуума. Phys. Rev. Lett. 82 , 4114–4117 (1999).

    CAS Статья Google Scholar

  • 77.

    Elzerman, J. M. et al. Схема малоэлектронных квантовых точек со встроенным считываемым зарядом. Phys. Ред. B 67 , 161308 (2003).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 78.

    Björk, M. T. et al. Малоэлектронные квантовые точки в нанопроволоках. Nano Lett. 4 , 1621–1625 (2004).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 79.

    Корманьос, А., Золёми, В., Драммонд, Н. Д. и Буркард, Г. Спин-орбитальная связь, квантовые точки и кубиты в однослойных дихалькогенидах переходных металлов. Phys. Ред. X 4 , 011034 (2014).

    Google Scholar

  • 80.

    Pawłowski, J., Zebrowski, D. & Bednarek, S. Кубит долины в закрытой монослойной квантовой точке MoS 2 . Phys. Ред. B 97 , 155412 (2018).

    Артикул Google Scholar

  • 81.

    Széchenyi, G., Chirolli, L. & Pályi, A. Электрический контроль кубитов спиновой долины в монослое MoS с помощью примесей. 2 . 2D Mater. 5 , 035004 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 82.

    Ли К., Кулкарни Г. и Чжун З. Кулоновская блокада в монослойном одноэлектронном транзисторе MoS 2 . Nanoscale 8 , 7755–7760 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 83.

    Сонг, X.-X. и другие. Температурная зависимость кулоновских колебаний в многослойной двумерной квантовой точке WS 2 . Sci. Отчет 5 , 16113 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 84.

    Сонг, X.-X. и другие. Квантовая точка, определяемая затвором, на двумерном полупроводнике из дихалькогенида переходного металла WSe 2 . Наноразмер 7 , 16867–16873 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 85.

    Pisoni, R. et al.Квантовая точка с перестраиваемым затвором в высококачественной однослойной гетероструктуре MoS 2 Ван-дер-Ваальса. заявл. Phys. Lett. 112 , 123101 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 86.

    Wang, K. et al. Электрический контроль носителей заряда и экситонов в атомарно тонких материалах. Nat. Nanotechnol. 13 , 128–132 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 87.

    Кейн, Б. Э. Основанный на кремнии квантовый компьютер с ядерным спином. Nature 393 , 133–137 (1998).

    CAS Статья Google Scholar

  • 88.

    Pla, J. J. et al. Одноатомный электронный кубит со спином в кремнии. Природа 489 , 541–545 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 89.

    Hill, C. D. et al. Квантовый компьютер с поверхностным кодом в кремнии. Sci. Adv. 1 , e1500707 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 90.

    Абадилло-Уриэль, Дж. К., Койллер, Б. и Кальдерон, М. Дж. Двумерные полупроводники открывают путь к квантовым вычислениям на основе примесей. Beilstein J. Nanotechnol. 9 , 2668–2673 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 91.

    Экзархос, А. Л., Хоппер, Д. А., Патель, Р. Н., Доэрти, М. В. и Бассет, Л. С. Квантовая эмиссия, зависящая от магнитного поля, в гексагональном нитриде бора при комнатной температуре. Nat. Commun. 10 , 222 (2019).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 92.

    Grosso, G. et al. Настраиваемая и высокочистая однофотонная эмиссия атомных дефектов в гексагональном нитриде бора при комнатной температуре. Nat. Commun. 8 , 705 (2017).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 93.

    Тран Т. Т., Брей К., Форд М. Дж., Тот М. и Ахаронович И. Квантовая эмиссия монослоев гексагонального нитрида бора. Nat. Nanotechnol. 11 , 37–41 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 94.

    Moody, G. et al. Микросекундное время жизни долин дефектно-связанных экситонов в монослое WSe 2 . Phys. Rev. Lett. 121 , 057403 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 95.

    Чакраборти, К., Кинништцке, Л., Гудфеллоу, К. М., Бимс, Р. и Вамивакас, А. Н. Квантовый свет с управляемым напряжением из атомарно тонкого полупроводника. Nat. Nanotechnol. 10 , 507–511 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 96.

    Kok, P. et al. Линейные оптические квантовые вычисления с фотонными кубитами. Ред. Мод. Phys. 79 , 135–174 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 97.

    Добровицкий В. В., Фукс Г. Д., Фальк А. Л., Сантори С. и Авшалом Д. Д. Квантовое управление одиночными спинами в алмазе. Annu. Rev. Condens. Matter Phys. 4 , 23–50 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 98.

    Maurer, P. C. et al. Квантово-битовая память при комнатной температуре, превышающая одну секунду. Наука 336 , 1283–1286 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 99.

    Neumann, P. et al. Высокоточное измерение температуры в наномасштабе с использованием единичных дефектов в алмазе. Nano Lett. 13 , 2738–2742 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 100.

    Гупта, С., Ян, Ж.-Х. & Якобсон, Б. И. Двухуровневые квантовые системы в двумерных материалах для излучения одиночных фотонов. Nano Lett. 19 , 408–414 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 101.

    Тот, М., Ааронович, И. Источники одиночных фотонов в атомарно тонких материалах. Annu. Rev. Phys. Chem. 70 , 123–142 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 102.

    Cassabois, G., Valvin, P. & Gil, B. Гексагональный нитрид бора является полупроводником с непрямой запрещенной зоной. Nat. Фотоника 10 , 262–266 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 103.

    Чжао, Х.-К., Фудзивара, М. и Такеучи, С. Подавление боковой полосы флуоресценции фононов от центров вакансий азота в алмазных нанокристаллах за счет эффекта подложки. Опт. Экспресс 20 , 15628–15635 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 104.

    Li, X. et al. Немагнитные квантовые излучатели в нитриде бора со сверхузкими спектрами излучения без боковых полос. АСУ Нано 11 , 6652–6660 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 105.

    Лунис Б. и Оррит М. Однофотонные источники. Rep. Prog. Phys. 68 , 1129–1179 (2005).

    CAS Статья Google Scholar

  • 106.

    Jungwirth, N. R. et al. Температурная зависимость выбираемой длины волны бесфононного излучения одиночных дефектов в гексагональном нитриде бора. Nano Lett. 16 , 6052–6057 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 107.

    Хакстер В. М., Оливер Т. А. А., Будкер Д. и Флеминг Г.Р. Колебательная и электронная динамика центров азот – вакансия в алмазе, обнаруженная методом двумерной сверхбыстрой спектроскопии. Nat. Phys. 9 , 744–749 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 108.

    Tawfik, S.A. et al. Первопринципное исследование квантового излучения дефектов hBN. Наноразмер 9 , 13575–13582 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 109.

    Но, Г. и др. Штарковская настройка однофотонных эмиттеров в гексагональном нитриде бора. Nano Lett. 18 , 4710–4715 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 110.

    Tran, T. T. et al. Устойчивое многоцветное однофотонное излучение точечных дефектов в гексагональном нитриде бора. АСУ Нано 10 , 7331–7338 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 111.

    Ziegler, J. et al. Формирование детерминированного квантового эмиттера в гексагональном нитриде бора посредством контролируемого создания края. Nano Lett. 19 , 2121–2127 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 112.

    Mendelson, N. et al. Разработка и настройка квантовых излучателей в многослойном гексагональном нитриде бора. ACS Nano 13 , 3132–3140 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 113.

    Дай З., Лю Л. и Чжан З. Деформационная инженерия 2D-материалов: проблемы и возможности на стыке. Adv. Матер. 0 , 1805417 (2019).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 114.

    Ziegler, J. et al. Однофотонные излучатели в наноконнах нитрида бора. Nano Lett. 18 , 2683–2688 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 115.

    Srivastava, A. et al. Оптически активные квантовые точки в монослое WSe 2 . Nat. Nanotechnol. 10 , 491–496 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 116.

    Мак, К. Ф., Хе, К., Шан, Дж. И Хайнц, Т. Ф. Управление поляризацией долин в монослое MoS 2 с помощью оптической спиральности. Nat. Nanotechnol. 7 , 494–498 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 117.

    Он, Ю.-М. и другие. Одноквантовые эмиттеры в однослойных полупроводниках. Nat. Nanotechnol. 10 , 497–502 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 118.

    Koperski, M. et al. Излучатели одиночных фотонов в расслоенных структурах WSe 2 . Nat. Нанотехнология 10 , 503–506 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 119.

    Palacios-Berraquero, C. et al. Атомарно тонкие квантовые светодиоды. Nat. Commun. 7 , 12978 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 120.

    Wang, G. et al. Динамика долины исследована по эмиссии заряженных и нейтральных экситонов в монослое WSe 2 . Phys. Ред. B 90 , 075413 (2014).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 121.

    Kumar, S. et al. Резонансная лазерная спектроскопия локализованных экситонов в монослое WSe 2 . Optica 3 , 882–886 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 122.

    Branny, A. et al. Дискретные квантовые точки, подобные эмиттерам в монослое MoSe 2 : пространственное отображение, магнитооптика и настройка заряда. заявл. Phys. Lett. 108 , 142101 (2016).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 123.

    Лю X., Балла И., Бержерон Х. и Херсам М. С. Точечные дефекты и границы зерен в соизмеримом во вращении MoS 2 на эпитаксиальном графене. J. Phys. Chem. С 120 , 20798–20805 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 124.

    Peng, J.-P. и другие. Рост молекулярно-лучевой эпитаксии и исследование ультратонких пленок TiSe 2 с помощью сканирующей туннельной микроскопии. Phys. Ред.В 91 , 121113 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 125.

    К.С., С., Лонго, Р.С., Адду, Р., Уоллес, Р. М. и Чо, К. Влияние собственных атомных дефектов на электронную структуру монослоев MoS 2 . Nanotechnol. 25 , 375703 (2014).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 126.

    Хильдебранд, Б.и другие. Легирующая природа собственных дефектов в 1T – TiSe 2 . Phys. Rev. Lett. 112 , 197001 (2014).

    CAS Статья Google Scholar

  • 127.

    Hong, J. et al. Исследование атомных дефектов в монослоях дисульфида молибдена. Nat. Commun. 6 , 6293 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 128.

    Но, Дж.-Y., Kim, H. & Kim, Y.-S. Устойчивость и электронная структура собственных дефектов в однослойном MoS 2 . Phys. Ред. B 89 , 205417 (2014).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 129.

    Clark, G. et al. Однодефектный светодиод в ван-дер-ваальсовой гетероструктуре. Nano Lett. 16 , 3944–3948 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 130.

    Li, H. et al. Оптоэлектронный кристалл искусственных атомов в деформированном дисульфиде молибдена. Nat. Commun. 6 , 7381 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 131.

    Feng, J., Qian, X., Huang, C.-W. & Ли, Дж. Искусственный атом, созданный методом деформации, как воронка солнечной энергии широкого спектра действия. Nat. Фотоника 6 , 866–872 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 132.

    Бранни, А., Кумар, С., Про, Р., Жерардо, Б. Д. Детерминированные массивы квантовых излучателей, индуцированные деформацией, в двумерном полупроводнике. Nat. Commun. 8 , 15053 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 133.

    Palacios-Berraquero, C. et al. Крупномасштабные массивы квантовых эмиттеров в атомарно тонких полупроводниках. Nat. Commun. 8 , 15093 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 134.

    Rosenberger, M. R. et al. Квантовая каллиграфия: создание однофотонных излучателей на платформе двумерных материалов. АСУ Нано 13 , 904–912 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 135.

    Martinis, J. M. et al. Декогеренция в джозефсоновских кубитах из-за диэлектрических потерь. Phys. Rev. Lett. 95 , 210503 (2005).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 136.

    Wang, L. et al. Одномерный электрический контакт с двухмерным материалом. Наука 342 , 614–617 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 137.

    Kang, K. et al. Послойная сборка двумерных материалов в гетероструктуры в масштабе пластины. Природа 550 , 229–233 (2017).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 138.

    Махлин Ю., Шен Г. и Шнирман А. Квантово-государственная инженерия с устройствами на джозефсоновских контактах. Ред. Мод. Phys. 73 , 357–400 (2001).

    Артикул Google Scholar

  • 139.

    Шерер, Х. и Камарота, Б. Эксперименты с квантовым метрологическим треугольником: обзор состояния. Измер. Sci. Technol. 23 , 124010 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 140.

    Лихарев К.К. Сверхпроводящие слабые звенья. Ред. Мод. Phys. 51 , 101–159 (1979).

    Артикул Google Scholar

  • 141.

    Williams, J. R. et al. Нетрадиционный эффект Джозефсона в гибридных устройствах сверхпроводник-топологический изолятор. Phys. Rev. Lett. 109 , 056803 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 142.

    Koch, J. et al. Нечувствительный к заряду дизайн кубита, полученный из коробки пар Купера. Phys. Ред. A 76 , 042319 (2007).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 143.

    Larsen, T. W. et al. Сверхпроводящий кубит на основе полупроводников и нанопроволок. Phys. Rev. Lett. 115 , 127001 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 144.

    Прокладка, Y.-P. И Тахан, С. Принципы проектирования сверхпроводниковых квантовых вычислений, вдохновленные полупроводниками. Nat. Commun. 7 , 11059 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 145.

    Casparis, L. et al. Сверхпроводящий гейтмон-кубит на основе проксимитированного двумерного электронного газа. Nat. Nanotechnol. 13 , 915–919 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 146.

    Бен Шалом, М. и др. Квантовые осцилляции критического тока и близость сильнополевой сверхпроводимости в баллистическом графене. Nat. Phys. 12 , 318–322 (2016).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 147.

    Хеерш, Х. Б., Харилло-Эрреро, П., Остинга, Дж. Б., Вандерсипен, Л. М. К. и Морпурго, А. Ф. Биполярный сверхток в графене. Nature 446 , 56–59 (2007).

    CAS Статья Google Scholar

  • 148.

    Рикхаус П., Вайс М., Маро Л. и Шененбергер К. Квантовый эффект Холла в графене со сверхпроводящими электродами. Nano Lett. 12 , 1942–1945 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 149.

    Chen, J.-H. и другие. Диффузионный перенос заряда в графене на SiO 2 . Solid State Commun. 149 , 1080–1086 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 150.

    Мизуно, Н., Нильсен, Б. и Ду, X. Сверхток баллистического типа в джозефсоновских слабых звеньях подвешенного графена. Nat. Commun. 4 , 2716 (2013).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 151.

    Ли, Г.-Х., Ким, С., Джи, С.-ЧАС. И Ли, Х.-Дж. Абсолютно короткие баллистические вертикальные джозефсоновские контакты графена. Nat. Commun. 6 , 6181 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 152.

    Айленд, Дж. О., Стил, Г. А., Зант, Х. С. Дж. Ван дер и Кастелланос-Гомес, А. Зависимый от толщины межслоевой перенос в вертикальных соединениях MoS 2 Джозефсоновские переходы. 2D Mater. 3 , 031002 (2016).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 153.

    Kim, M. et al. Сильная близость джозефсоновской связи в вертикально уложенных переходах NbSe 2 –графен – NbSe 2 Ван-дер-Ваальсов. Nano Lett. 17 , 6125–6130 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 154.

    Фриндт Р. Ф. Сверхпроводимость в ультратонких слоях NbSe 2 . Phys. Rev. Lett. 28 , 299–301 (1972).

    CAS Статья Google Scholar

  • 155.

    Ябуки Н. и др. Сверхток в переходе Ван-дер-Ваальса Джозефсона. Nat. Commun. 7 , 10616 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 156.

    Liu, K. et al. Эволюция межслоевой связи в скрученных бислоях дисульфида молибдена. Nat. Commun. 5 , 4966 (2014).

    CAS Статья Google Scholar

  • 157.

    Харилло-Эрреро, П., Ван Дам, Дж. А., Кувенховен, Л. П. Квантовые сверхтоковые транзисторы в углеродных нанотрубках. Природа 439 , 953–956 (2006).

    CAS Статья Google Scholar

  • 158.

    Nanda, G. et al. Токово-фазовое соотношение баллистических джозефсоновских контактов графена. Nano Lett. 17 , 3396–3401 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 159.

    Calado, V. E. et al. Баллистические джозефсоновские переходы в графене с реберным контактом. Nat. Nanotechnol. 10 , 761–764 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 160.

    Wang, J. I.-J. и другие. Когерентное управление гибридной сверхпроводящей схемой на основе ван-дер-ваальсовых гетероструктур на основе графена. Nat. Nanotechnol. 14 , 120–125 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 161.

    Ли, Г.-Х. и другие. Индуцирование сверхпроводящей корреляции в квантовых холловских краевых состояниях. Nat. Phys. 13 , 693–698 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 162.

    Amet, F. et al. Сверхток в квантовом режиме Холла. Наука 352 , 966–969 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 163.

    Прибяг, В.S. et al. Краевая сверхпроводимость в двумерном топологическом изоляторе. Nat. Nanotechnol. 10 , 593–597 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 164.

    Шмидт, Ф. Э., Дженкинс, М. Д., Ватанабе, К., Танигучи, Т. и Стил, Г. А. Сверхпроводящая микроволновая схема с баллистическим графеном. Nat. Commun. 9 , 4069 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 165.

    Kroll, J. G. et al. Схема, совместимая с магнитным полем, квантовая электродинамика с графеновыми джозефсоновскими контактами. Nat. Commun. 9 , 4615 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 166.

    Walsh, E. D. et al. Детектор одиночных фотонов на джозефсоновском переходе на основе графена. Phys. Ред. Заявлено 8 , 024022 (2017).

    Артикул Google Scholar

  • 167.

    Вильчек Ф. Квантовая механика частиц с дробным спином. Phys. Rev. Lett. 49 , 957–959 (1982).

    CAS Статья Google Scholar

  • 168.

    Лейнаас Дж. М. и Мирхейм Дж. К теории идентичных частиц. Nuovo Cim. B 37 , 1–23 (1977).

    Артикул Google Scholar

  • 169.

    Стерн, А.Неабелевы состояния вещества. Природа 464 , 187–193 (2010).

    CAS Статья Google Scholar

  • 170.

    Китаев А.Ю. Отказоустойчивые квантовые вычисления с помощью анонимов. Ann. Phys. 303 , 2–30 (2003).

    CAS Статья Google Scholar

  • 171.

    Тео, Дж. К. Я. и Кейн, К. Л. Майорана Фермионы и неабелева статистика в трех измерениях. Phys. Rev. Lett. 104 , 046401 (2010).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 172.

    Мур Г. и Рид Н. Неабелионы в дробном квантовом эффекте Холла. Nucl. Phys. B 360 , 362–396 (1991).

    Артикул Google Scholar

  • 173.

    Джейн, Дж. К. Композитно-фермионный подход для дробного квантового эффекта Холла. Phys. Rev. Lett. 63 , 199–202 (1989).

    CAS Статья Google Scholar

  • 174.

    Du, X., Skachko, I., Duerr, F., Luican, A. & Andrei, E. Y. Дробный квантовый эффект Холла и изолирующая фаза электронов Дирака в графене. Природа 462 , 192–195 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 175.

    Болотин К. И., Гахари Ф., Шульман М. Д., Штормер Х. Л. и Ким П. Наблюдение дробного квантового эффекта Холла в графене. Природа 462 , 196–199 (2009).

    CAS Статья Google Scholar

  • 176.

    Фельдман Б. Э., Краусс Б., Смет Дж. Х. и Якоби А. Нетрадиционная последовательность дробных квантовых состояний Холла в взвешенном графене. Наука 337 , 1196–1199 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 177.

    Wang, L. et al. Свидетельства фрактального квантового эффекта Холла в сверхрешетках графена. Наука 350 , 1231–1234 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 178.

    Kim, Y. et al. Четный знаменатель дробных квантовых холловских состояний на высших уровнях Ландау графена. Nat.Phys. 15 , 154–158 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 179.

    Зибров А.А. и др. Четные дробные квантовые холловские состояния на изоспиновом переходе в монослойном графене. Nat. Phys. 14 , 930–935 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 180.

    Зибров А.А. и др. Перестраиваемые взаимодействующие составные фермионные фазы на полузаполненном уровне Ландау двухслойного графена. Природа 549 , 360–364 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 181.

    Sanchez-Yamagishi, J. D. et al. Спиральные краевые состояния и дробный квантовый эффект Холла в электронно-дырочном бислое графена. Nat. Nanotechnol. 12 , 118–122 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 182.

    Li, J. I. A. et al.Дробные квантовые холловские состояния с четным знаменателем в двухслойном графене. Наука 358 , 648–652 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 183.

    Линь, X., Ду, Р. и Се, X. Недавний экспериментальный прогресс дробного квантового эффекта Холла: состояние заполнения 5/2 и графен. Nat. Sci. Ред. 1 , 564–579 (2014).

    CAS Статья Google Scholar

  • 184.

    Das Sarma, S., Nayak, C. & Tewari, S. Предложение по стабилизации и обнаружению полуквантовых вихрей в тонких пленках рутената стронция: неабелева статистика вихрей в сверхпроводнике p x + ip y . Phys. Ред. B 73 , 220502 (2006).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 185.

    Фу Л. и Кейн К. Л. Эффект сверхпроводящей близости и майорановские фермионы на поверхности топологического изолятора. Phys. Rev. Lett. 100 , 096407 (2008).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 186.

    Wang, M.-X. и другие. Сосуществование сверхпроводимости и топологического порядка в тонких пленках Bi 2 Se 3 . Наука 336 , 52–55 (2012).

    CAS Статья Google Scholar

  • 187.

    Xu, J.-P.и другие. Экспериментальное обнаружение майорановской моды в ядре магнитного вихря внутри топологического диэлектрика-сверхпроводника Bi 2 Te 3 / NbSe 2 гетероструктуры. Phys. Rev. Lett. 114 , 017001 (2015).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 188.

    Sun, H.-H. и другие. Обнаружена майорановская нулевая мода при спин-селективном андреевском отражении в вихре топологического сверхпроводника. Phys. Rev. Lett. 116 , 257003 (2016).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 189.

    Xu, J.-P. и другие. Искусственный топологический сверхпроводник за счет эффекта близости. Phys. Rev. Lett. 112 , 217001 (2014).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 190.

    Лутчин Р. М., Сау, Дж. Д. и Дас Сарма, С. Майорана Фермионы и топологический фазовый переход в гетероструктурах полупроводник-сверхпроводник. Phys. Rev. Lett. 105 , 077001 (2010).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 191.

    Чиу Ч.-К., Гилберт М. Дж. И Хьюз Т. Л. Вихревые линии в топологических гетероструктурах изолятор-сверхпроводник. Phys. Ред. B 84 , 144507 (2011).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 192.

    He, J. J., Ng, T.К., Ли, П. А. и Ло, К. Т. Селективные равновинтовые андреевские отражения, индуцированные майорановскими фермионами. Phys. Rev. Lett. 112 , 037001 (2014).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 193.

    Banerjee, A., Sundaresh, A., Ganesan, R. & Kumar, PSA Сигнатуры топологической сверхпроводимости в топологическом изоляторе BiSbTe 1,25 Se 1,75 вблизи сверхпроводящего NbSe 2 . ACS Nano 12 , 12665–12672 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 194.

    Sun, H.-H. и другие. Сосуществование топологического краевого состояния и сверхпроводимости в ультратонкой пленке висмута. Nano Lett. 17 , 3035–3039 (2017).

    CAS Статья Google Scholar

  • 195.

    Ge, J.-F. и другие. Сверхпроводимость выше 100 К в однослойных пленках FeSe на легированном SrTiO 3 . Nat. Матер. 14 , 285–289 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 196.

    Wang, Z. F. et al. Топологические краевые состояния в пленке высокотемпературного сверхпроводника FeSe / SrTiO 3 (001). Nat. Матер. 15 , 968–973 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 197.

    Инь, Ж.-Х. и другие. Обнаружение устойчивого связанного состояния с нулевой энергией в сверхпроводнике на основе железа Fe (Te, Se). Nat. Phys. 11 , 543–546 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 198.

    Сюй, Г., Лянь, Б., Тан, П., Ци, X.-L. И Чжан, С.-К. Топологическая сверхпроводимость на поверхности сверхпроводников на основе Fe. Phys. Rev. Lett. 117 , 047001 (2016).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 199.

    Чжан, П.и другие. Наблюдение топологической сверхпроводимости на поверхности сверхпроводника на основе железа. Наука 360 , 182–186 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 200.

    Wang, D. et al. Доказательства связанных состояний Майорана в сверхпроводнике на основе железа. Наука 362 , 333–335 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 201.

    Machida, T. et al. Связанное состояние вихря с нулевой энергией в сверхпроводящем топологическом поверхностном состоянии Fe (Se, Te). Nat. Матер. 18 , 811–881 (2019).

    CAS Статья Google Scholar

  • 202.

    Chen, M. et al. Дискретные уровни энергии состояний Кароли-де-Женна-Матрикона в квантовом пределе в FeTe 0,55 Se 0,45 . Nat. Commun. 9 , 970 (2018).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 203.

    Massee, F. et al. Визуализация эффектов атомного масштаба облучения ионами высоких энергий на сверхпроводимость и закрепление вихрей в Fe (Se, Te). Sci. Adv. 1 , e1500033 (2015).

    Артикул Google Scholar

  • 204.

    Кларк Д. Дж., Алиса Дж. И Штенгель К. Экзотические неабелевы энионы из обычных дробных квантовых состояний Холла. Nat. Commun. 4 , 1348 (2013).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 205.

    Li, P. et al. Доказательства топологического полуметалла Вейля типа II WTe 2 . Nat. Commun. 8 , 2150 (2017).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 206.

    Wu, S. et al. Наблюдение квантового спинового эффекта Холла до 100 кельвинов в монослойном кристалле. Наука 359 , 76–79 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 207.

    Wang, H. et al. Высококачественный однослойный сверхпроводник NbSe 2 , выращенный методом химического осаждения из газовой фазы. Nat. Commun. 8 , 394 (2017).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 208.

    Mannix, A.J. et al. Синтез борофенов: анизотропные, двумерные полиморфы бора. Наука 350 , 1513–1516 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 209.

    Лю X., Чжан З., Ван Л., Якобсон Б. И. и Херсам М. С. Перемешивание и периодическая самосборка дефектов линии борофена. Nat. Матер. 17 , 783–788 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 210.

    Liu, X. et al. Геометрическая визуализация полиморфов борофена с функционализированными зондами. Nat. Commun. 10 , 1642 (2019).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 211.

    Чжу, Ф.-Ф. и другие. Эпитаксиальный рост двумерного станена. Nat. Матер. 14 , 1020–1025 (2015).

    CAS Статья Google Scholar

  • 212.

    Лиан, Б., Сунь, X.-Q., Ваэзи, А., Ци, X.-L. И Чжан, С.-К. Топологические квантовые вычисления на основе киральных майорановских фермионов. Proc. Natl. Акад. Sci. США 115 , 10938–10942 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 213.

    Chang, C.-Z. и другие. Экспериментальное наблюдение квантового аномального эффекта Холла в магнитном топологическом изоляторе. Наука 340 , 167–170 (2013).

    CAS Статья Google Scholar

  • 214.

    Ян Гонг, Дж. Дж. И Ян Гонг, Дж. Дж. Экспериментальная реализация внутреннего магнитного топологического изолятора. Подбородок. Phys. Lett. 36 , 076801 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 215.

    Li, J. et al. Собственные магнитные топологические изоляторы в слоистых ван-дер-ваальсовых материалах семейства MnBi 2 Te 4 . Sci. Adv. 5 , eaaw5685 (2019).

    Артикул Google Scholar

  • 216.

    Liu, C. et al. Квантовый фазовый переход от аксионного изолятора к изолятору Черна в MnBi 2 Te 4 . arXiv: 1905.00715 [cond-mat.mes-hall] (2019).

  • 217.

    Deng, Y. et al. Квантованный аномальный эффект Холла, индуцированный магнитным полем, в собственном магнитном топологическом изоляторе MnBi 2 Te 4 . arXiv: 1904.11468 [cond-mat.mtrl-sci] (2019).

  • 218.

    Cao, Y. et al. Коррелированное поведение изолятора при половинном заполнении в сверхрешетках графена под магическим углом. Природа 556 , 80–84 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 219.

    Cao, Y. et al. Нетрадиционная сверхпроводимость в сверхрешетках графена под магическим углом. Природа 556 , 43–50 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 220.

    Ribeiro-Palau, R. et al. Поворотная электроника с динамически вращающимися гетероструктурами. Наука 361 , 690–693 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 221.

    Liu, X. et al. Нанозначение сканирующего зонда и послойное истончение черного фосфора. Adv. Матер. 29 , 1604121 (2017).

    Артикул CAS Google Scholar

  • 222.

    Wood, J. D. et al. Эффективная пассивация транзисторов с расслоенным черным фосфором против деградации окружающей среды. Nano Lett. 14 , 6964–6970 (2014).

    CAS Статья Google Scholar

  • 223.

    Ryder, C.R. et al. Ковалентная функционализация и пассивация расслоенного черного фосфора с помощью химии арилдиазония. Nat. Chem. 8 , 597–602 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • 224.

    Wells, S. A. et al. Подавление внешней деградации устройств с расслоенным нанолистом InSe за счет инкапсуляции осаждения засеянного атомного слоя. Nano Lett. 18 , 7876–7882 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 225.

    Щербаков Д. и др. Рамановская спектроскопия, фотокаталитическая деструкция и стабилизация атомарно тонкого трийодида хрома. Nano Lett. 18 , 4214–4219 (2018).

    CAS Статья Google Scholar

  • 226.

    Райдер К. Р., Вуд Дж. Д., Уэллс С. А. и Херсам М. С. Химическая обработка полупроводниковых двумерных дихалькогенидов переходных металлов и черного фосфора. АСУ Нано 10 , 3900–3917 (2016).

    CAS Статья Google Scholar

  • Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie.Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку "Назад" и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie.Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.


    Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

    Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:

    • В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
    • Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, используйте кнопку "Назад" и примите файлы cookie.
    • Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
    • Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
    • Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

    Почему этому сайту требуются файлы cookie?

    Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.


    Что сохраняется в файле cookie?

    Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

    Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

    Учебные материалы DCD для дома, школы, врачей и других медицинских работников

    Дети, у которых проблемы с координацией, борются со многими рутинными задачами, которые другие дети легко выполняют в течение обычного школьного дня. Печать, резка ножницами, открытие контейнеров для обеда и игры на перемене - все это может стать источником разочарования для ребенка с проблемами координации. Учащиеся старшего возраста, овладевшие некоторыми из этих основных навыков, могут все еще испытывать трудности с организацией времени / материалов, качеством / скоростью письменной работы, посещением уроков физического воспитания и спортом.

    Классные учителя могут помочь учащимся с двигательными нарушениями выполнить требования учебной программы для их уровня, убедившись, что задание и учебная среда подходят учащемуся. Учителя также могут предоставить помещения, чтобы помочь студентам завершить свою работу и продемонстрировать свой прогресс в учебе. Ресурсы, представленные ниже, предоставляют информацию для преподавателей, описывают общие проблемы в классе, представляют особые стратегии для всех уровней класса (подход MATCH) и описывают приспособления, которые, как было установлено, помогают детям с двигательными проблемами добиться успеха в школе.Родители детей с DCD могут найти эти листовки полезными для обмена информацией с педагогами их детей. Многие флаеры также доступны на французском / австралийском языках и доступны на французском языке.

    Переводы мероприятий и материалов на веб-сайте CanChild выполняются лицами, свободно владеющими английским и своим родным языком. CanChild требует «обратного перевода» документа другим лицом, а не оригинальным переводчиком, чтобы гарантировать точность.Обычаи и культура различных регионов могут не отражаться точно, если не было проведено валидационное исследование.

    Ресурсы

    • Дети с нарушением координации развития: дома, в школе и в обществе (буклет). Также доступно на китайском (упрощенном), фарси, французском, немецком, хинди, итальянском, португальском, пенджаби, испанском, урду.

    "M.A.T.C.H." Листовки

    Дополнительные ресурсы

    Школьные ресурсы: партнерство для перемен

    Следующие комплексные ресурсы были разработаны в рамках исследования «Партнерство для изменений».Были разработаны ресурсы для эрготерапевтов и учителей, работающих с детьми с нарушением координации развития (DCD) и другими проблемами координации движений. В частности, «Обед и обучение» были разработаны для ОТ для использования с группой учителей, а «Советы ОТ» и «Дополнительные ресурсы» были разработаны для учителей.

    Ресурсы для учеников в JK / SK:

    Ресурсы для учеников 1-3 классов

    Статьи

    Видео

    Один ученик в каждом классе средней школы будет бороться с трудности с координацией.Мы можем помочь детям с DCD, обучая их стратегическому подходу, который позволяет им сочетать свои действия и способности для достижения успеха.

    Легкие и экологически чистые материалы для автомобильной промышленности

    Д-р Омар Фарук

    Д-р Омар Фарук работает в Центре исследований и разработок инженерных силовых агрегатов Ford Motor Company, Канада. Он также связан с Центром биокомпозитов и обработки биоматериалов Университета Торонто, Канада.Он получил докторскую степень в области машиностроения в Кассельском университете, Германия, а ранее был приглашенным научным сотрудником в Университете штата Мичиган, США. На его счету более 75 публикаций, в том числе 12 глав в книгах, опубликованных в различных международных журналах и на конференциях. Он также отредактировал 2 книги, озаглавленные «Армирование биоволокном в композитных материалах» и «Лигнин в полимерных композитах», опубликованные соответственно Woodhead Publishing Ltd и Elsevier Ltd. Кроме того, он является приглашенным рецензентом 63 известных международных журналов, правительственных исследовательских предложений и книг.

    Д-р Джими Тьонг

    Д-р Джими Тьонг - технический руководитель и менеджер Центра исследований и разработок силовых агрегатов Ford Motor Company, Канада. Он получил докторскую степень в области машиностроения в Виндзорском университете, Канада, и более 30 лет работает в Ford Motor Company. Его основная область исследований и разработок включает в себя следующее: оптимизация автомобильных испытательных систем с точки зрения стоимости, производительности и полной совместимости.Он включает в себя разработку методологии испытаний и когнитивных систем, калибровку двигателей внутреннего сгорания, альтернативных видов топлива, биотоплива, смазочных материалов и выхлопных жидкостей, легких материалов с акцентом на алюминий, магний, биоматериалы, батареи, электродвигатели, суперконденсаторы, стоп / пусковые системы, системы HEV, PHEV, BEV, нанодатчики и приводы, высокопроизводительные и гоночные двигатели, неразрушающий контроль производственных и сборочных процессов, современные бензиновые и дизельные двигатели с упором на экономию топлива, производительность и возможности затрат.Он

    Альтернативные строительные материалы для школ

    Опубликовано March 03, 2020

    В современном мире экологически чистые методы способствуют положительной репутации бренда любого бизнеса. Это верно даже в отношении школ и учебных заведений. В конце концов, даже эксперты признают ценность устойчивого брендинга для организации.

    Если вы отвечаете за строительство школы, вы хотите принимать решения, осознавая влияние на окружающую среду.Вот почему вас интересуют альтернативные строительные материалы для школ.

    Что ж, хорошая новость в том, что вы попали в нужное место, прочитав эту статью. Ниже подробно описано все, что вам нужно знать о самых экологически чистых строительных материалах на сегодняшний день.

    Убедитесь, что оборудование вашей школы выдержало испытание временем, не создавая излишне большого углеродного следа. И окружающая среда, и родители учеников, заботящиеся об окружающей среде, оценят ваши усилия по обеспечению устойчивого развития.Продолжайте читать, чтобы узнать, как альтернативные строительные материалы для школ могут оказать такое положительное влияние на ваш бренд в целом.

    Начните с рассмотрения краткосрочных и долгосрочных затрат

    Конечно, первое, что вас волнует, - это стоимость вашего строительного проекта. Вы хотите, чтобы школа максимально использовала свои финансовые вложения, даже в строительные материалы.

    На самом деле, именно это и делает экологически чистые строительные материалы такими полезными.Это доступные решения для долговечных конструкций, которые оправдывают начальную стоимость.

    Тем не менее, важно, чтобы вы нашли время, чтобы оценить имеющееся у вас финансирование для строительства школы. Важно выделить достаточно средств из бюджета на стоящие строительные материалы. Не жертвуйте качеством школьной структуры только для того, чтобы сэкономить пару долларов.

    Обратитесь к потенциальным подрядчикам по бетонным работам в вашем районе. Они предоставят вам оценку вашего потенциального строительного проекта? Если да, включите эту сумму в имеющийся у вас бюджет на строительство школы.

    Рассмотрим следующую статистику по бетонным подрядчикам в Соединенных Штатах. Это указывает на то, что за последние пять лет или около того, в отрасли наблюдался рост выручки на 4,5%.

    Другими словами, не только вы цените бетон как доступное и устойчивое строительное решение. Продолжайте читать, чтобы узнать, почему эта экологическая характеристика бетона отвечает интересам вашей школы, а также ознакомьтесь с этим примером и последующей статьей о средней школе Шикеллами.

    Экологичные преимущества бетона для внутренней структуры вашей школы

    Бетон не только один из наиболее доступных строительных материалов в современном мире. Кроме того, бетон - это ответственный материал в использовании.

    Одна из причин заключается в том, что бетон - это вещество светлого цвета в готовом виде. Тротуары и бетонные тротуары в вашем городе не излучают столько тепла, как почти черный асфальт большинства дорог.Это дополнительное тепло лишь добавляет энергии и даже создает давление в местной атмосфере.

    Не зря бетон является самым популярным строительным материалом во всем мире. Его преимущества разными способами способствовали повышению качества жизни сотен сообществ. Чтобы получить более подробные инструкции, ознакомьтесь с этой статьей о том, почему бетон является экологически чистым материалом для строительных целей.

    Не доверяйте любому поставщику строительных материалов

    Важно, чтобы вы провели свое исследование, прежде чем покупать любой бетон, который попадется вам в руки.Вместо этого взгляните на присутствие потенциального поставщика в Интернете.

    Например, начните с быстрого поиска в Google о компании, продающей бетон. Это должно указывать на наличие в прошлом неэтичных или незаконных действий.

    Кроме того, посетите веб-сайт поставщика бетона. Понятно ли, что они инвестируют в веб-сайт и регулярно обновляют его, быстро загружают и легко ориентируются? Значит, они поддерживают постоянное взаимодействие со своими подписчиками в социальных сетях?

    Не стоит недооценивать ценность бизнеса, который гордится продвижением своей продукции и бренда.Тогда вы можете быть уверены, что они проявят такой же уровень заботы и преданности при работе над вашим строительным проектом.

    Вам также следует проверить любые доступные онлайн-обзоры или отзывы предыдущих покупателей. Это поможет вам понять, можете ли вы доверять положительным впечатлениям от них.

    Есть много других экологически чистых строительных материалов, которые можно использовать

    Бетон - это только начало вашего идеального экологичного строительного проекта.Вы также можете использовать экологически чистые материалы, такие как бамбук, дерево и даже тюки соломы. Существуют также строительные изделия из переработанного пластика, которые помогут сделать вашу будущую школу максимально экологически безопасной.

    Сделайте все возможное, чтобы ваша школа была экологически чистой

    Как упоминалось выше, важно воспользоваться тем фактом, что использование бетона является экологически рациональным решением. Это означает, что ваша школа максимально использует экологические ценности, на которые потребители обратят внимание.

    По этой причине можно оптимизировать этот устойчивый бренд в маркетинговых стратегиях вашего учебного заведения. В конце концов, стоит похвастаться проектом экологичного строительства вашей школы. Таким образом, вы будете делать все возможное, чтобы привлекать и поддерживать семьи, чтобы их дети были зачислены в вашу школу.

    Инвестиции в альтернативные строительные материалы для школ

    К настоящему времени мы надеемся, что вы лучше понимаете лучшие альтернативные строительные материалы для школ на сегодняшний день.Когда дело доходит до инвестирования в устойчивые методы ведения бизнеса, нет необходимости срезать углы. Вот почему вы серьезно отнесетесь к приведенным выше рекомендациям.

    Кроме того, стоит и дальше быть в курсе тенденций устойчивого развития отрасли. Это может улучшить репутацию бренда вашей школы в долгосрочной перспективе. Повышение узнаваемости и лояльности к этому бренду станет бесценным активом при привлечении семей в вашу школу.

    Не соглашайтесь на некачественные строительные материалы для вашей школы.Вместо этого инвестируйте в конкретные решения для оптимизации целостности и устойчивости вашего здания.

    На самом деле, здесь мы и можем сыграть. Мы уделяем приоритетное внимание привлечению таких клиентов, как вы, к самым надежным услугам по строительству бетонных конструкций на рынке.

    По этой причине мы рекомендуем вам просмотреть остальную часть нашего веб-сайта сегодня. В нашем блоге вы найдете самые последние и самые важные тенденции в бетонной строительной отрасли. Для начала ознакомьтесь с более подробной информацией о наших бетонных строительных решениях, доступных вам сейчас.

    Фотокаталитические функциональные материалы для восстановления окружающей среды

    Список участников xi

    Предисловие xv

    1 Диоксид титана и углеродные наноматериалы для фотокаталитического разложения органических красителей 1

    Nagamalai Vasimalai

    1.10003 1.10003 1.1

    Сокращения 1.1 Введение

    Сбросы на окружающую среду и здоровье 3

    1.2 Принципы и механизм фотокатализа 6

    1.2.1 Прямые фотокаталитические пути 7

    1.2.1.1 Процесс Ленгмюра – Хиншеля Вуда 8

    1.2.1.2 Процесс Элея – Райда 8

    1.2.2 Косвенные фотокаталитические механизмы 8

    1.3 Важность диоксида титана 9

    1.3.1 Рутил 10

    1.3.2 Анатаз 10

    1.3.3 Brookite 10

    1.4 Диоксид титана для фотокаталитического разложения органических красителей 11

    1.4.1 Подходы, повышающие фотокаталитическую активность TiO 2 12

    1.4.2 Металл и многоатомный легированный TiO2 13

    1.5 Углеродные наноматериалы для фотокаталитического разложения органических красителей 15

    1.5.1 Активированный уголь 16

    1.5. 2 Графит 17

    1.5.3 Графен 19

    1.5.4 Углеродные нанотрубки и фуллерены 20

    1.5.5 Углеродная сажа 21

    1.5.6 Углеродные нановолокна 22

    1.5.7 Углеродные квантовые точки 22

    1.5.8 Мезопористый углерод 24

    1.6 Заключение и тенденции 26

    Ссылки 27

    2 Фотокаталитическое разложение загрязняющих веществ в окружающей среде с использованием оксида металла в видимом свете Полупроводники 41

    S. Фотокатализ 42

    2.3 Механизм и основы фотокаталитических реакций 42

    2.4 Синтез различных фотокатализаторов 44

    2.4.1 Гидротермальные / сольвотермические методы 45

    2.4.2 Электроосаждение 46

    2.4.3 Осаждение в химической ванне 46

    2.4.4 Золь-гель процесс 47

    2.4.5 Химическое осаждение 47

    2.5 Факторы, влияющие на фотокаталитическое разложение 47

    2.5.1 Загрузка катализатора 47

    2.5.2 pH раствора 48

    2.5.3 Размер и структура фотокатализатора 49

    2.5.4 Температура реакции 49

    2.5.5 Концентрация и природа загрязнителей 49

    2 .5.6 Неорганические ионы 50

    2.6 Металлооксидные полупроводники 50

    2.7 Тройные / четвертичные оксиды 54

    2.8 Композиты Полупроводники 55

    2.9 Сенсибилизация 56

    2.10 Выводы 57

    Справочные данные 57 3 0003 Современные достижения в области света Нанокатализаторы для окружающей среды Приложения 69

    Паннеерсельвам Сатишкумар, Налентиран Пугажентиран, Рамалинга В.Мангалараджа, Кирос Геш, Дэвид Контрерас и Самбандам Анандан

    3.1 Введение 69

    3.1.1 Подход Ленгмюра – Хиншелвуда 71

    3.1.2 Подход Элея – Райдеала 71

    3.1.3 Косвенный фотокаталитический подход

    3.2 Типы моделей фотокаталитических реакторов 73

    3.3 Модификация полупроводниковых наночастиц 90

    3.3.1 Металлические наночастицы 90

    3.3.2 Осаждение неметаллов 91

    3.4 Новые фотокатализаторы 95

    3.4.1 Перовскитовые фотокатализаторы 95

    3.4.2 C 3 N 4 -поддерживаемые фотокатализаторы 96

    3.5 Механизмы фотокатализа 99

    3.6 Заключение 116

    Ссылки3 121

    9 нанокомпозитов для фотокаталитического удаления загрязняющих красителей 131

    Сивараман Сомасундарам, Питчаймани Виракумар, Кинг-Чуен Лин и Виньеш Кумаравел

    4.1 Нанокомпозиты и их применение 131

    4.2 Красители: введение, классификация и воздействие на окружающую среду 131

    4.3 Стратегии удаления загрязняющих красителей 133

    4.4 Фотодеградация и удаление красителей с помощью нанокомпозитов 134

    4.4.1 Нанокомпозиты на основе цеолитов 153

    4.4.2 Нанокомпозиты на глиняной основе 153

    4.4.3 Нанокомпозиты на полимерной основе 154

    4.5 Фотокаталитические реакторы для разложения красителя 156

    4.6 Резюме 156

    Источники 157

    5 Фотокаталитический активный фосфат серебра для фоторемедиации органических загрязнителей 163

    Сачин В. Отари и Хемрадж М. Ядав

    5.1 Введение 163

    10 5,2 3 Свойства PO 9011

    4 165

    5.2.1 Структурные особенности 165

    5.2.2 Антимикробные свойства 166

    5.3 Фотоочищение органических загрязнителей 167

    5.3.1 Влияние морфологии 168

    5.3.1.1 Размер и структура фотокатализатора 168

    5.3.1.2 Фасетно-зависимые фотокатализаторы 171

    5.3.2 Влияние состава 172

    5.3.2.1 Углеродные материалы 173

    5.3.2.2 Полупроводник Материалы 176

    5.3.2.3 Магнитные частицы 179

    5.3.2.4 Металлические частицы 179

    5.3.3 Эффект легирования 182

    5.4 Выводы и перспективы на будущее 182

    Благодарности 183-

    Ссылки 183

    Ag : Механизмы носителя заряда и фотокаталитические приложения 191

    Рагхавачари Кавита, Шивашанкар Гириш Кумар и Чанне Гауда Сушма

    6.1 Фотокатализ на основе ZnO 191

    6.2 Зачем наносить серебро на поверхность ZnO? 192

    6.3 Методы декорирования НЧ серебра на поверхности ZnO 193

    6.4 Механизм динамики переноса носителей заряда в Ag-ZnO 197

    6.4.1 Барьер Шоттки и процесс переноса заряда 198

    6.4.2 Эффекты поверхностного плазмонного резонанса 198

    6.4.3 Химия дефектов Ag-ZnO 199

    6.5 Влияние содержания серебра на оптимизацию фотокаталитической активности 200

    6.6 Взаимосвязь структура-морфология фотокаталитической активности 201

    6.7 Совместная модификация Ag-ZnO для фотокатализа 204

    6.8 Заключение и перспективы на будущее 207

    Ссылки 208

    7 Многофункциональные гибридные материалы на основе слоистого двойного гидроксида 215 в направлении фотокатализа

    Лагнамайи Мохапатра и Дхананджая Патра

    7.1 Введение 215

    7.2 Гибридные LDH из прекурсоров LDH 216

    7.3 Фотокаталитическое применение различных гибридных материалов на основе LDH 217

    7.3.1 Смешанные оксиды металлов на основе LDH 221

    7.3.2 Гибридные MMO для разложения красителя 225

    7.3.3 Нанокомпозиты LDH 227

    7.3.4 Интеркалированный LDH 231

    7,4 Выводы 233

    Ссылки 234

    8 Магнитно-разделенные нанокомпозитные материалы на основе оксида железа Фотокаталитические материалы для экологической реабилитации 243

    Sakthivel VenusaVele и Nuga1 Введение 243

    8.2 Методы синтеза магнитных нанофотокаталитических композитов 246

    8.3 Три типа полупроводниковых магнитных нанокомпозитов 249

    8.4 Магнитно разделяемые композиты на основе графена 251

    8.4000 Металлические ди-9000-нанокатализаторы

    8.4.2 Магнитные фотокатализаторы на основе графитового нитрида углерода 254

    8.5 Влияние фотокатализаторов на основе оксида железа на загрязняющие вещества 255

    8.5.1 Разложение органических красителей, загрязнителей 255

    8.5.2 Не красители или бесцветные соединения 256

    8.5.3 Тяжелые металлы 258

    8.5.4 Фармацевтические отходы 259

    8.6 Резюме 260

    Ссылки 260

    9 Фото Функциональные материалы по восстановлению окружающей среды 267

    Пажанивел Девендран и Минакшисундарам Сваминатан

    9.1 Введение 267

    9.2 Фотоэлектрический эффект 267

    9.3 Фотофункциональные материалы (фотокатализаторы) 268

    9.4 Фотодеградация текстильных красителей 271

    9.5 Фотокатализаторы на основе полупроводников 272

    9.6 Углеродные нанотрубки (УНТ) 274

    9.7 Фотофункциональные полупроводники 9000 Гибридные материалы 9000 для устройств CNT Hybrid 275 9.8 Изготовление сенсибилизированных квантовыми точками CdS солнечных элементов с использованием функционализированных азотом УНТ / TiO 2 Нанокомпозиты 276

    9.9 Графеновый лист 280

    9.Нанокомпозиты 10 CdS / G для эффективного фотокатализа под действием видимого света 281

    9.11 Графитовый нитрид углерода (g-C3N4) 283

    9.12 Выводы 284

    Ссылки 285

    10 Графитовый углеродный нитрид 7000 Применения нанокаталитических материалов на основе 9000 для фотокатализа 9000

    Джаяраман Тиртагири, Кумарагуру Дураймуруган, Хюн-Сеок Ким и Джаганнатан Мадхаван

    10.1 Введение 291

    10.2 Общий механизм: Путь реакции 292

    10.3 g ‐ C 3 N 4 и композиты в фотокаталитической деградации 294

    10.4 Выводы и будущие направления 304

    Благодарности 305

    Ссылки 305

    11 Металлоорганические основы для фотокаталитического восстановления

    0003

    Мохан Сакар и Тронг-Он До

    11.1 Введение 309

    11.2 Структурные особенности MOF 310

    11.3 Синтез MOF 312

    11.3.1 Метод испарения 313

    11.3.2 Метод диффузии пара 313

    11.3.3 Процесс кристаллизации из геля 313

    11.3.4 Сольвотермический синтез 313

    11.3.5 Микроволновый синтез 314

    11.3.6 Сонохимические методы 314

    11.3.7 Электрохимический синтез 314

    11.3.8 Механохимический синтез 315

    11.4 Фотокаталитические MOF по дизайну 315

    11.5 Фотокаталитические применения MOF 317

    11.5.1 Разложение органических загрязнителей 317

    11.5.2 CO 2 Сокращение 320

    11.5.3 Сокращение тяжелых металлов 323

    11.5.4 Прочие 326

    11.6 Выводы и перспективы на будущее 327

    Благодарности 329

    12 Активные материалы для фотокаталитического восстановления диоксида углерода 343

    Баласубраманиан Вишванатан

    12.1 Введение 343

    12.2 CO 2 Фотовосстановление - Essentials 345

    12.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *